1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор

D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement

E. Photosensitive semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur photosensible

-

-

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра

2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

ФЭПП

D. Halbleiterphotoelement

E. Photoelectric semiconductor detector

F. Détecteur à semi-conducteur photoelectrique

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике

3. Фотоприемное устройство

ФПУ

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию

ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоспектральный ФЭПП

D. Multispektralphotoempfänger

E. Multi-band photodetector

F. Photodétecteur à plusieurs gammes

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности

5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D. Einelementphotoempfänger

E. Single-element detector

F. Détecteur à élément unique

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент

6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоэлементный ФЭПП

D. Vielelementphotoempfänger

E. Multi-element detector

F. Détecteur multiple

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.

Примечание. Допускается применять термин «двух-, трех-, четырехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Координатный ФЭПП

D. Ortsempfindlicher Photoempfänger

E. Position-sensitive detector

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности

8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Гетеродинный ФЭПП

D. Uberlagerungsphotoempfänger

E. Heterodyne detector

F. Détecteur hétérodyne

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения

9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Иммерсионный ФЭПП

D. Immersionsphotoempfänger

E. Immersed detector

F. Détecteur à immersion

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал

10. Фоторезистор

D. Photowiderstand

E. Photoconductive cell

F. Cellule photoinductive

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости

11. Фотодиод

D. Photodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

-

-

Полупроводниковый диод с р-п переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект

12. p-i-n фотодиод

D. Pin-Photodiode

E. Pin-Photodiode

F. Pin-Photodiode

-

-

Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной

13. Фотодиод с барьером Шоттки

D. Schottky-Photodiode

E. Schottky-Barrier-Photodiode

-

-

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

D. Photodiode mit Heteroübergang

E. Heterojunction photodiode

-

-

Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны

15. Лавинный фотодиод

D. Lawinenphotodiode

E. Avalanche photodiode

F. Photodiode à avalanche

-

-

Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжекционный фотодиод

D. Injektionsphotodiode

E. Injection photodiode

F. Photodiode d'injection

-

-

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

17. Фототранзистор

D. Phototransistor

E. Phototransistor

F. Phototransistor

-

-

Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект

18. Полевой фототранзистор

D. Photofeldeffekttransistor

E. Field effect phototransistor

F. Phototransistor à effet de champ

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора

19. Биполярный фототранзистор

D. Bipolarphototransistor

E. Bipolar phototransistor

F. Phototransistor bipolaire

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора

20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Охлаждаемый ФЭПП

D. Gekühlter Photoempfänger

E. Cooled detector

F. Photodétecteur refroidi

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента

ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

21. Одноэлементное фотоприемное устройство

Одноэлементное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами

Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами

-

-

Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов

23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией

Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией

-

-

Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов

24. Многоспектральное фотоприемное устройство

Многоспектральное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки

26. Охлаждаемое фотоприемное устройство

Охлаждаемое ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

27. Монолитное фотоприемное устройство

Монолитное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке

28. Гибридное фотоприемное устройство

Гибридное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОФ

D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoemp-fangers

E. Background limited photodetector

F. Régime photodetecteur infrarouge limite par le rayonnement ambiant

-

-

Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона

30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей

31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ТГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией

32. Фотодиодный режим

D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

E. Back-biased mode of photovoltaic detector operation

F. Régime de fonctionnement du détecteur photovoltaique au contretension de polarisation

-

-

Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении

33. Лавинный режим работы фотодиода

D. Trägerlawinenzustand der Photodiode

E. Avalanche mode of photodiode operation

-

-

Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода

34. Фотогальванический режим

D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle

E. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

F. Régime de fonctionnement du détecteur photovoltaique

-

-

Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения

35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой

D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis

E. Floating-base phototransistor operation

F. Régime du phototransistor de basis flottante

-

-

Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе

36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим короткого замыкания ФЭПП

D. Kurzschlussbetrieb des Phtoempfängers

E. Short-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du détecteur à court-circuit

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочное сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП

37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим холостого хода ФЭПП

D. Leerlaufbetrieb des Photoempfängers

E. Open-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du détecteur à circuit ouvert

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки

38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

D. Photoempfängerbetriebsweise bei Anpassung

E. Matched impedance mode of detector operation

F. Régime de fonctionnement du détecteur du resistance de charge

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП

39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

D. Photoempfängerbetriebsweise bei Überlagerangsempfang

E. Heterodyne reception mode of detector operation

F. Régime de fonctionnement du détecteur operation

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала

КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Фоточувствительный элемент

D. Lichtempfindliches Element eines Photoempfängers

E. Detector sensitive element

F. Elément sensible du détecteur

-

-

Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения

41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Вывод ФЭПП

D. Photoempfängeranschluss

E. Detector terminal

F. Branchement du détecteur

-

-

Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Контакт фоточувствительного элемента

-

-

Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом

43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Корпус ФЭПП

D. Photoempfängergehause

E. Photodetector package

F. Boitier du détecteur

-

-

Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов

44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Иммерсионный элемент ФЭПП

D. Photoempfängerimmersionselement

E. Detector optical immersion element

F. Elément à immersion du détecteur

-

-

Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения

45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Подложка ФЭПП

D. Schichttrager des Photoempfängers

E. Detector-film base

-

-

Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой

46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Входное окно ФЭПП

D. Photoempfängereingangsfenster

E. Detector window

F. Fenétre du détecteur

-

-

Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу

47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Апертурная диафрагма ФЭПП

D. Aperturblende des Photoempfängers

E. Detector aperture stop

F. Diaphragme d'ouverture du détecteur

-

-

Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

48. Выход фотоприемного устройства

-

-

Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью

ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D. Betriebsspannung

E. Operating voltage

F. Tension de régime

Tension de service

U_p

U_op

Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

50. Пробивное напряжение фотодиода

D. Durchbruchspannung einer Photodiode

E. Breakdown voltage of a photodiode

F. Tension de claquage de photodiode

U_пр

U_BR

Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения

51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП

D. Maximal zulässige Spannung

E. Maximum admissible voltage

F. Tension maximale admissible

U_max

U_max

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП

D. Isolationsfestigkeit

E. Insulating strength

F. Rigidité d'isolement

u_из

u_i

Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции

53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

D. Differentieller electrischer Widerstand

E. Differential electrical resistance

F. Résistance differentielle électrique

R_д

R_d

Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП

54. Статическое сопротивление ФЭПП

D. Statischer Widerstand

E. Static resistance

F. Résistance statique

R_c

R_s

Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току

55. Темновое сопротивление ФЭПП

D. Dunkelwiderstand

E. Dark resistance

F. Resistance d'obscurité

R_t

R_d

Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении

D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode

E. Zero bias resistance of a photodiode

F. Résistance du point zéro de photodiode

R₀

R₀

Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

57. Световое сопротивление ФЭПП

D. Hellwiderstand

E. Resistance under illumination

F. Résistance sous éclairement

R_E

R_E, R_H

Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности

58. Темповой ток ФЭПП

D. Dunkelstrom

E. Dark current

F. Courant d'obscurité

I_t

I_d

Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

59. Фототек ФЭПП

D. Photostrom

E. Photocurrent

F. Photocourant

I_Ф

I_p

Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

60. Общий ток ФЭПП

D. Gesamtstrom

E. Total current

F. Courant total

I_общ

I_tot

Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока

61. Напряжение фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalspannung

E. Photoelectric signal voltage

F. Tension de signal photoélectrique

u_c

u_s

Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.

Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке

62. Ток фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalstrom

E. Photoelectric signal current

F. Courant de signal photoélectrique

I_c

I_s

Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала

ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**

63. Чувствительность ФЭПП

D. Ansprechempfindlichkeit

E. Responsivity

F. Reponse

s

s

Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной

64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

D. StrahlungsfluPempfindUchkeit

E. Radiant flux responsivity

F. Réponse au flux énergétique

-

65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку

D. Lichtstromempfindlichkeit

E. Luminous flux responsivity

F. Réponse au flux lumineux

S_Ф

-

66. Чувствительность ФЭПП к облученности

D. Bestrahlungstärkeempfindlichkeit

E. Irradiance responsivity

F. Réponse à l'éclairement énergétique

-

67. Чувствительность ФЭПП к освещенности

D. Beleuchtungsstärkeempfindlichkeit

E. Illumination responsivity

F. Réponse à l'eclairement lumineux

S_e

-

68. Токовая чувствительность ФЭПП

D. Stromempfindlichkeit

E. Current responsivity

F. Réponse en courant

S_i

S_i

-

69. Вольтовая чувствительность ФЭПП

D. Spannungsempfindlichkeit

E. Voltage responsivity

F. Réponse en tension

s_u

s_v

-

70. Интегральная чувствительность ФЭПП

D. Gesamtempfindlichkeit

E. Total responsivity

F. Réponse globale

S_инт

S_tot

Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава

71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП

D. Monochromatische Empfindlichkeit

E. Monochromatic responsivity

F. Réponse monochromatique

S_λ

S_λ

Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению

72. Статическая чувствительность ФЭПП

D. Statische Empfindlichkeit

E. Static responsivity

F. Réponse statique

S_ст

s_st

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП

D. Differentielle EmpfindUchkeit

E. Differential responsivity

F. Réponse différentielle

S_Д

s_d

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

74. Импульсная чувствительность ФЭПП

D. Impulsempfindlichkeit

E. Pulse responsivity

F. Réponse d'impulsions

S_имп

S_p

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции

75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора

D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie

E. ffluminance-resistance characteristique slope

F. Pente de caractéristique éclairementrésistance

γ

γ

Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе

ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП

76. Ток шума ФЭПП

D. Rauschstrom

E. Noise current

F. Courant de bruit

I_ш

I_n

Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот

77. Напряжение шума ФЭПП

D. Rauschspannung

E. Noise voltage

F. Tension de bruit

U_ш

U_n

Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот

78. Порог чувствительности ФЭПП

Порог

D. Äquivalente Rauschleistung

E. Noise equivalent power

F. Puissance équivalente au bruit

Ф_п

Ф_min,

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь

79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

Порог в единичной полосе частот

D. Äquivalente Rauschleistung im Einheitsfrequenzband

E. Unit frequency bandwidth noise equivalent power

F. Puissance équivalente au bruit dans une bande passante des fréquences unitaire

Ф_п1

NEP

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения

80. Удельный порог чувствительности ФЭПП

Удельный порог

D. Spezifischc äquivalente Rauschleistung

E. Specific noise equivalent power

F. Puissance réduite équivalente au bruit

Ф_п*

NEP*

Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу

81. Обнаружительная способность ФЭПП

D. Nachweisfähigkeit

R. Detectivity

F. Détectivité

D

D

Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП

82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП

D. Spezifischc Nachweisfähigkeit

E. Specific detectivity

F. Détectivité réduite

D*

D*

Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП

83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП

E. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)

F. Puissance équivalente au bruit du philra détecteur

Ф_BLIP

Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры

ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

D. Wellenlänge der maximalen Spektralempfindlichkeit

E. Peak spectral response wavelength

F. Longueur d'onde de la sensibilité spectrale maximale

λ_max

λ_S

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности

85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Kurzwellengrenze

E. Short wavelength limit

λ'

Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Langwellengrenze

E. Long wavelength limit

λ''

Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

87. Область спектральной чувствительности ФЭПП

D. Spektralcr Empfindlichkeitsbereich

E. Spectral sensitivity range

F. Part sensible spectral

Dλ

Dλ

Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего максимального значения

ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

D. Effektivfläche des Fühlelements

E. Effective area of the responsive element

F. Aire efficace de 1'élement détecteur

А_ЭФФ

A_eff

Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувствительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.

Примечание. Определяется

соотношением

где S (x, у) - чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами (х, у);

А - площадь этого фоточувствительного элемента.

В качестве номинального значения локальной чувствительности S_N как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке, х₀, у₀). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора S_N оговаривается дополнительно

89. Плоский угол зрения ФЭПП

D. Gesichtsfeldwinkel

E. Angular field of view

F. Angle d'ouverture

2b

2b

Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

90. Эффективное поле зрения ФЭПП

D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel

E. Effective weighted solid angle

F. Angle solide efficace

Ω_эфф

Ω_eff

Телесный угол, определяемый соотношением

где U_c -напряжение фотосигнала ФЭПП;

допускается замена параметра U_C на 1_с, I_Ф

Ω - угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу;

j - азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП

91. Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

D. Anstiegszeit der normierten Übergangskennlinie

E. Rise time of the normalized transfer characteristic

F. Temps de montée de caractéristique de transmission normalisée

t_{0,1 - 0,9}

t_r

Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

92. Время спада ФЭПП

Время спада

D. Abfallzeit der normierter Umkehrübergangskennhnie

E. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

F. Temps de descente de caractéristique de transmission inverse normalisée

t_{0,9 - 0,1}

t_f

Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к

Время установления

D. Einstellzeit der normierten Übergangskennlinie

E. Set-up time of the normalized transfer characteristic

F. Temps d'établissement caractéristique de transmission normalisée

-

Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики h₀ (t) от установившегося значения не превышает k.

/1 - h₀ (t) / £ k при t ³ t_{уст k}

94. Предельная частота ФЭПП

D. Grenzfrequenz

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

f₀

f_g

Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении

95. Емкость ФЭПП

D. Kapazität

E. Capacitance

F. Capacité

С

С

96. Последовательное сопротивление фотодиода

D. Reihenwiderstand einer Photodiode

E. Series resistance

F. Résistance série

R_посл

R_S

Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода

ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП

97. Число элементов ФЭПП

D. Fühlelementenanzahl

E. Element number

F. Nombre des éléments

N

-

-

98. Шаг элементов ФЭПП

D. Rastermass

E. Pitch

F. Ecartement

h

Р

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП

99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

D. Fühlelementenabstand

E. Element spacing

F. Espacement des éléments

Dl

Dl

Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП

Отношение напряжения сигнала с

100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor

E. Photoelectric coupling coefficient

F. Coefficient de couplage photoélectrique

К_фс

K_c

необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики

101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

D. Parameterstreuung

E. Figure ol merit straggling

F. Dispersion de figure de mérite

δ_x

δ_x

Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.

Примечание. В буквенном обозначении вместо «X» следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра

ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

D. Kollektorspannung

E. Collector voltage

F. Tension du collecteur

U_CB

Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

U_CE

103. Напряжение на эмиттере фототранзистора

D. Emitterspannung

E. Emitter voltage

F. Tension d'émetteur

U_EB

Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

U_EC

104. Напряжение на базе фототранзистора

D. Basisspannung

E. Base voltage

F. Tension de base

U_BE

Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

U_BC

105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-émetteur de phototransistor

U_{br ceo}

Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

E. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-base de

phototransistor

U_{br cbo}

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors

E. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage emetteur-base de

pbototransistor

U_{br ebo}

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors

E. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage émetteur-collecteur de phototransistor

U_{br eco}

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

109. Темновой ток коллектора фототранзистора

D. Kollektordunkelstrom

E. Collector dark current

F. Courant d'obscurité du collecteur

I_CEO, I_CBO, I_CCO

-

110. Темновой ток эмиттера фототранзистора

D. Emitterdunkelstrom

E. Emitter dark current

F. Courant d'obscurité d'émetteur

I_EBO, I_EEO, I_ECO

-

111. Темновой ток базы фототранзистора

D. Basisdunkelstrom

E. Base dark current

F. Courant d'obscurité de base

I_BBO, I_BEO, I_BCO

-

112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

E. Collector-emitter dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité collecteur-émetteur de phototransistor

I_CEO

Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Collector-base dark current of a photo-transistor

F. Courant d'obscurité collecteur-base de phototransistor

I_CBO

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-base dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité émetteur-base de phototransistor

I_EBO

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-collector dark current of a phototransistor

F. Courant d'obscurité émetteur-collecteur de phototransistor

I_ECO

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

116. Фототок коллектора фототранзистора

D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors

E. Collector photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant du collecteur de phototransistor

I_СЕН, I_СВН, I_ССН

-

117. Фототок эмиттера фототранзистора

D. Emitterphotostrom eines Phototransistors

E. Emitter photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant d'emetteur de phototransistor

I_ЕBН ,I_EEН, I_EСН

-

118. Фототок базы фототранзистора

D. Basisfotostrom eines Phototransistors

E. Base photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant de base de phototransistor

I_BBН ,I_BEН, I_BСН

-

119. Общий ток коллектора фототранзистора

D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector total current of a phototransistor

F. Courant total du collecteur de phototransistor

I_CE ,I_CB, I_СC

-

120. Общий ток эмиттера фототранзистора

D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors

E. Emitter total current of a phototransistor

F. Courant total d'émetteur de phototransistor

I_EB ,I_EE, I_EC

-

121. Общий ток базы фототранзистора

D. Basisgesamtstrom eines Phototransis-tors

E. Base total current of a phototransistor

F. Courant total de base de phototransistor

I_BB ,I_BE, I_BC

-

122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-emitter total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-émetteur de phototransistor

I_СЕН

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

123. Общий ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-base total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-base de phototransistor

I_СBН

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

124. Токовая чувствительность фототранзистора

D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors

E. Current responsivity of the phototransistor

F. Réponse en courant du phototransistor

-

Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

125. Вольтовая чувствительность фототранзистора

D. SpannungsempfmdUchkeit eines Phototransistors

E. Voltage responsivity of the phototransistor

F. Réponse en tension du phototransistor

-

Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

D. Photostromverstärkungsfaktor

E. Photocurrent gain factor

F. Gain de photocourant

K_УФ

-

Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме

ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ

127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода

2Dх

-

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

S_дифф

-

Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения

129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

S_стат

-

Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения

130. Нулевая точка координатного фотодиода

Х₀

Х₀

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю

131. Выходное сопротивление координатного фотодиода

R_вых

R₀

Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения

ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

D. Dunkelstromverstärkungsfaktor der Lawinenphotodiode

E. Darkcurrent multiplication factor of the avalanche photodiode

F. Facteur de multiplication de courant d'obscurité de photodiode à avalanche

м_т

м_d

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях

133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

D. Pnotostromvervielfachungsfaktor

E. Photocurrent multiplication factor

F. Facteur de multiplication de photocourant

М_Ф

М_ph

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.

Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения

134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung

E. Operating voltage constant keeping accuracy

Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах

135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung

E. Operating voltage temperature coefficient

F. Coefficient de temprature de tension de régime

b_U

b_U

Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.

Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения

ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ

136. Коэффициент усиления инжекционно-го фотодиода

D. Verstärkungsfaktor der Injectionsphotodiode

E. Injection photodiode gain

F. Gain de photodiode à injection

К

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме

137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

D. Relativer Verstärkungsfaktor

E. Relative gain

F. Gainrelatif

K_Y

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.

Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений

ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

138. Рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Gesamtverlustleistung

E. Total power dissipation

F. Dissipation totale de puissance

Р

Р_tot

Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения

139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Maximal zulässige Verlustleistung

E. Maximum admissible power dissipation

F. Puissance dissipée maximale admissible

Р_max

Р_max

Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

140. Критическая мощность излучения для ФЭПП

Ф_крит

-

Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня

141. Динамический диапазон ФЭПП

D. Dynamischer Bereich

E. Dynamic range

F. Gamme dynamique

д

-

Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня

142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

D. Flächenungleichmässigkeit der Empfindlichkeit

E. Spacing response non-uniformity

F. Non-uniformité de la réponse spatiale

-

Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности

143. Нестабильность сопротивления ФЭПП

D. Instabilitätskoefiizient des Widerstandes

E. Resistance unstability coefficient

F. Coefficient de 1'instabilité de résistance

-

Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению

144. Нестабильность темнового тока ФЭПП

D. Instabilitätskoeffizient des Dunkelstromes

E. Dark current unstability coefficient

F. Coefficient de l'instabilité du courant d'obscurité

-

Отношение максимального отклоне ния темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:

145. Нестабильность чувствительности ФЭПП

D. Instabilitätskoeffizient der Empfindlichkeit

E. Response unstability coefficient

F. Coefficient de l'instabilité de la réponse

-

Отношение максимального отклонения напряжения фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению

146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП

D. Temperaturkoeffizient des Photostromes

E. Photocurrent-temperature coefficient

F. Coefficient de température du photocourant

a_T

-

Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)

147. Световая нестабильность ФЭПП

D. Lichtinstabilität

E. Light unstability

F. Instabilité lumineuse

v

-

Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении

148. Температура выхода на режим оптической генерации

-

-

-

149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

Е. Cooldown time

t_вых

t_cd

Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня

150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

D. Unabhängige Betriebszeit

E. Independent operating time

F. Durée d'opération autonome

Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Spektrale Empfindlichkeit

E. Spectral sensitivity

F. Sensibilité spectrale

S (λ)

S (λ)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения

152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Absolute spektrale Empfrndlichkeitskennlinie

E. Absolute spectral-response characteristic

F. Caractéristique de sensibilité spectrale absolue

S_абс (λ)

S_abs (λ)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения

153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie

S_ОПТ (λ)

S_rel (λ)

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения

ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП

D. Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Current-voltage characteristic

F. Caractéristique couranttension

I (U)

I (U)

Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Input current-voltage characteristic

F. Caractéristique couranttension d'entrée

I_вх (U)

I_in (U)

Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения

156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Output current-voltage characteristic

F. Caractéristique couranttension de sortie

I_вых (U)

I₀ (U)

Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения

157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Empfindlichkeit

E. Bias voltage response characteristic

S (U)

S (U)

Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhängigkeit des Rauschstromes

E. Bias noise current characteristic

I_Ш (U)

I_n (U)

Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Rauschspannung

E. Bias noise voltage characteristic

U_Ш (U)

U_n (U)

Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Betriebsspannungsabhängigkeit der Nachweisfähigkeit

E. Bias detectivity characteristic

D* (U)

D* (U)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему

161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода

D. Betriebsspannungsabhängigkeit des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode

E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

M_T (U), M_Ф (U)

M_d (U), M_ph (U)

Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ

162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП

D. Abhängigkeit des Photostroms von dem Strahlungsfluss

E. Photocurrent-radiant flux characteristic

I_Ф (Ф)

I_ph (Ф)

Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭП

163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

D. Abhängigkeit der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss

E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic

U_с (Ф)

U_S (Ф)

Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП

164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

D. Strahlungsflussabhängigkeit des sta-tischen Widerstands

E. Radiant power-static resistance characteristic

R_с (Ф)

R_S (Ф)

Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор

165. Люксомическая характеристика фоторезистора

D. Abhängigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstärke

E. Resistance-Illuminance characteristic

R_E (E)

R_E (E), R_H (E)

Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор

166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП

D. Abhängigkeit des Photostroms von der Beleuchtungsstärke

E. Photocurrent-Illuminance characteristic

I_Ф (E)

I_ph (E)

Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП

167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора

U_вх (Ф), I_вх (Ф)

-

Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора

I_вых (Ф)

-

Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Frequenzgang der Empfindlichkeit

E. Frequency response characteristic

F. Caractéristique de fréquence de la réponse

S (f)

S (f)

Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

170. Спектр тока шума ФЭПП

D. Rauschstromspektrum

E. Noise current spectrum

F. Spectre du courant de bruit

I_Ш (f)

I_n (f)

Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам

171. Спектр напряжения шума ФЭПП

D. Rauschspannungsspektrum

E. Noise voltage spectrum

F. Spectre de la tension de bruit

U_Ш (f)

U_n (f)

Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам

172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

Е. Specific detectivity frequency dependence

D* (f)

D* (f)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. Abhängigkeit des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic

R_E (f)

R_E (f), R_H (f)

Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Abhängigkeit der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Responsivity-background radiant flux characteristic

S (Ф)

S (Ф)

Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП

D. Abhängigkeit des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Noise current-background radiant flux characteristic

I_Ш (f)

I_n (f)

Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Abhängigkeit der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Noise voltage-background radiant flux characteristic

U_Ш (f)

U_n (f)

Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. Abhängigkeit der equivalenten Rau-schleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung

E. NEP-background radiant flux characteristic

Ф_п1 (Ф)

-

Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона

178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Abhängigkeit der spezifischen Nachweisfähigkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

E. Specific detectivity-background radiant flux characteristic

D* (Ф)

D* (Ф)

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands

E. Resistance under illumination-temperature characteristic

R_E (T)

R_E (T), R_H (T)

-

180. Температурная характеристика темпового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelwiderstands

E. Dark resistance-temperature characteristic

R_T (T)

-

-

181. Температурная характеристика темпового тока ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms

E. Dark current-temperature characteristic

I_T (T)

I_d (T)

-

182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Empfrndlichkeit

E. Responsivity-temperature characteristic

S (T)

S (T)

-

183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Rauschstroms

E. Noise current-temperature characteristic

I_Ш (T)

I_n (T)

-

184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Rauschspannung

E. Noise voltage-temperature characteristic

U_Ш (T)

U_n (T)

-

185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. Temperaturverlauf der äquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenz-hand

E. NEP-temperature characteristic

Ф_п1 (T)

-

-

186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der spezifischen Nachweisfähigkeit

E. Specific detectivity-temperature characteristic

D* (T)

D* (T)

-

187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода

D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift

E. Zero drift-temperature characteristic

w

w

Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры

ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte Übergangscharakteristik

E. Normalized transfer charakteristic

F. Caractéristique de transmission normalisée

X₀ (T)

X₀ (T)

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.

Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением

В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:

189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte Umkehrübergangscharacteristik

E. Normalized inverse transfer characteristic

F. Caractéristique de transmission inverse normalisée

h₀' (t)

-

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.

Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением

190. Координатная характеристика координатного фотодиода

U_вых (X)

-

Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода

191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода

Дрейф нуля

D. Nullpunktdrift

E. Zero drift

x₀ (t)

x₀ (t)

Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени

192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

D. Empfindlichkeitsoberflächenverteilung

E. Responsivity surface distribution

F. Distribution superficielle de la réponse

S (x, у)

S (x, у)

Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе

193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Empfindlichkeitswinkelverteilung

E. Responsivity directional distribution

F. Distribution directionnelle de la réponse

S (Θ)

S (Θ)

Зависимость чувствительности ФЭПП от утла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента