Термин
|
Буквенное обозначение
|
Определение
|
русское
|
международное
|
1.
Фоточувствительный полупроводниковый прибор
D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement
E. Photosensitive semiconductor
device
F. Dispositif semiconducteur
photosensible
|
-
|
-
|
Полупроводниковый прибор, чувствительный к
электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой
областях спектра
|
2.
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
ФЭПП
D. Halbleiterphotoelement
E. Photoelectric semiconductor
detector
F. Détecteur à
semi-conducteur photoelectrique
|
-
|
-
|
Фоточувствительный полупроводниковый прибор,
принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
|
3.
Фотоприемное устройство
ФПУ
|
-
|
-
|
Фоточувствительный полупроводниковый прибор,
состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и
схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном
исполнении, объединенных в единую конструкцию
|
ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
|
4. Многоспектральный фотоэлектрический
полупроводниковый приемник излучения
Многоспектральный
ФЭПП
D. Multispektralphotoempfänger
E. Multi-band photodetector
F. Photodétecteur à
plusieurs gammes
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными
диапазонами спектральной чувствительности
|
5.
Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный
ФЭПП
D. Einelementphotoempfänger
E. Single-element detector
F. Détecteur à
élément unique
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, содержащий один фоточувствительный элемент
|
6.
Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Многоэлементный
ФЭПП
D. Vielelementphotoempfänger
E. Multi-element detector
F. Détecteur multiple
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.
Примечание. Допускается применять термин
«двух-, трех-, четырехэлементный» фотоэлектрический полупроводниковый
приемник излучения
|
7.
Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Координатный
ФЭПП
D. Ortsempfindlicher Photoempfänger
E. Position-sensitive detector
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна
на фоточувствительной поверхности
|
8.
Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Гетеродинный
ФЭПП
D. Uberlagerungsphotoempfänger
E. Heterodyne detector
F. Détecteur
hétérodyne
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
|
9.
Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Иммерсионный ФЭПП
D. Immersionsphotoempfänger
E. Immersed detector
F. Détecteur à
immersion
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, содержащий иммерсионный сигнал
|
10. Фоторезистор
D. Photowiderstand
E. Photoconductive cell
F. Cellule photoinductive
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости
|
11. Фотодиод
D. Photodiode
E. Photodiode
F. Photodiode
|
-
|
-
|
Полупроводниковый диод с р-п переходом
между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в
котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости
перехода, вызывает фотогальванический эффект
|
12. p-i-n фотодиод
D. Pin-Photodiode
E. Pin-Photodiode
F. Pin-Photodiode
|
-
|
-
|
Фотодиод, дырочная и электронная области
которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной
|
13.
Фотодиод с барьером Шоттки
D. Schottky-Photodiode
E. Schottky-Barrier-Photodiode
|
-
|
-
|
Фотодиод, запирающий слой которого образован
контактом полупроводника с металлом
|
14. Фотодиод с гетеропереходом
D. Photodiode
mit Heteroübergang
E. Heterojunction photodiode
|
-
|
-
|
Фотодиод, электронно-дырочный переход которого
образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной
зоны.
Примечание. Переход может быть образован сложными
полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны
|
15.
Лавинный фотодиод
D. Lawinenphotodiode
E. Avalanche photodiode
F. Photodiode à avalanche
|
-
|
-
|
Фотодиод с внутренним усилием, принцип
действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями
в сильном электрическом поле
|
16.
Инжекционный фотодиод
D. Injektionsphotodiode
E. Injection photodiode
F. Photodiode d'injection
|
-
|
-
|
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего
усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда
|
17. Фототранзистор
D. Phototransistor
E. Phototransistor
F. Phototransistor
|
-
|
-
|
Транзистор, в котором используется
фотоэлектрический эффект
|
18.
Полевой фототранзистор
D. Photofeldeffekttransistor
E. Field effect phototransistor
F. Phototransistor à effet
de champ
|
-
|
-
|
Фототранзистор, фоточувствительный элемент
которого содержит структуру полевого транзистора
|
19.
Биполярный фототранзистор
D. Bipolarphototransistor
E. Bipolar phototransistor
F. Phototransistor bipolaire
|
-
|
-
|
Фототранзистор, фоточувствительный элемент
которого содержит структуру биполярного транзистора
|
20.
Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Охлаждаемый
ФЭПП
D. Gekühlter Photoempfänger
E. Cooled detector
F. Photodétecteur refroidi
|
-
|
-
|
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения
температуры фоточувствительного элемента
|
ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
|
21. Одноэлементное фотоприемное устройство
Одноэлементное
ФПУ
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, в котором
используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник
излучения
|
22.
Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами
Многоэлементное
ФПУ с разделенными каналами
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, имеющее два и более
фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого
с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных
элементов
|
23.
Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией
Многоэлементное
ФПУ с внутренней коммутацией
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство с числом
фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их
сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число
фоточувствительных элементов
|
24.
Многоспектральное фотоприемное устройство
Многоспектральное
ФПУ
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, содержащее
многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
|
25. Фоточувствительный
полупроводниковый сканистор
|
-
|
-
|
Фоточувствительный полупроводниковый прибор,
принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля
изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного
напряжения развертки
|
26.
Охлаждаемое фотоприемное устройство
Охлаждаемое
ФПУ
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, в котором для
обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
|
27.
Монолитное фотоприемное устройство
Монолитное
ФПУ
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, выполненное единым
технологическим циклом на едином кристалле или подложке
|
28.
Гибридное фотоприемное устройство
Гибридное
ФПУ
|
-
|
-
|
Фотоприемное устройство, выполненное
объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных
технологических циклов
|
РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО
ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
|
29. Режим ограничения флуктуациями числа
фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Режим ОФ
D. Durch
Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des Photoemp-fangers
E. Background limited
photodetector
F. Régime photodetecteur
infrarouge limite par le rayonnement ambiant
|
-
|
-
|
Условия, при которых обнаружительная
способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона
|
30.
Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника
излучения
Режим ОГ
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей
заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных
носителей
|
31.
Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового
приемника излучения
Режим ТГ
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей
заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической
генерацией
|
32.
Фотодиодный режим
D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle
E. Back-biased mode of
photovoltaic detector operation
F. Régime de fonctionnement
du détecteur photovoltaique au contretension de polarisation
|
-
|
-
|
Режим работы фотодиода без внутреннего
усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении
|
33.
Лавинный режим работы фотодиода
D. Trägerlawinenzustand der
Photodiode
E. Avalanche mode of photodiode
operation
|
-
|
-
|
Режим работы фотодиода с внутренним усилением,
который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном
смещении электронно-дырочного перехода
|
34.
Фотогальванический режим
D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle
E. Zero-bias mode of photovoltaic
detector operation
F. Régime de fonctionnement
du détecteur photovoltaique
|
-
|
-
|
Режим работы фотодиода без внешнего источника
напряжения
|
35.
Режим работы фототранзистора с плавающей базой
D. Phototransistorbetriebsweise mit
offener Basis
E. Floating-base phototransistor
operation
F. Régime du
phototransistor de basis flottante
|
-
|
-
|
Режим работы биполярного фототранзистора при
разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе
|
36.
Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника
излучения
Режим
короткого замыкания ФЭПП
D. Kurzschlussbetrieb des Phtoempfängers
E. Short-circuit mode of detector
operation
F. Fonctionnement du
détecteur à court-circuit
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочное
сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим
сопротивлением ФЭПП
|
37.
Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника
излучения
Режим
холостого хода ФЭПП
D. Leerlaufbetrieb des Photoempfängers
E. Open-circuit mode of detector
operation
F. Fonctionnement du
détecteur à circuit ouvert
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое
сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки
|
38.
Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с
согласованной нагрузкой
Режим
работы ФЭПП с согласованной нагрузкой
D.
Photoempfängerbetriebsweise bei Anpassung
E. Matched impedance mode of
detector operation
F. Régime de fonctionnement
du détecteur du resistance de charge
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки
равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП
|
39.
Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения
Режим
оптического гетеродинного приема ФЭПП
D. Photoempfängerbetriebsweise
bei Überlagerangsempfang
E. Heterodyne reception mode of
detector operation
F. Régime de fonctionnement
du détecteur operation
|
-
|
-
|
Режим работы фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение
полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление
полезного сигнала
|
КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО
ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА
|
40. Фоточувствительный элемент
фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Фоточувствительный
элемент
D. Lichtempfindliches Element eines Photoempfängers
E. Detector sensitive element
F. Elément sensible du
détecteur
|
-
|
-
|
Часть монокристалла или полупроводникового
слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную
форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема
оптического излучения
|
41. Вывод фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения
Вывод
ФЭПП
D. Photoempfängeranschluss
E. Detector terminal
F. Branchement du détecteur
|
-
|
-
|
Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения
соответствующего электрода с внешней электрической цепью
|
42.
Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового
приемника излучения
Контакт
фоточувствительного элемента
|
-
|
-
|
Участок фоточувствительного элемента,
обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом
|
43.
Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Корпус
ФЭПП
D. Photoempfängergehause
E. Photodetector package
F. Boitier du détecteur
|
-
|
-
|
Часть конструкции фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от
воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью
выводов
|
44. Иммерсионный элемент
фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения
Иммерсионный элемент ФЭПП
D.
Photoempfängerimmersionselement
E. Detector optical immersion
element
F. Elément à
immersion du détecteur
|
-
|
-
|
Оптический элемент, находящийся в оптическом
контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового
приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения
|
45. Подложка фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения
Подложка ФЭПП
D. Schichttrager des
Photoempfängers
E. Detector-film base
|
-
|
-
|
Конструктивный элемент фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения, на который наносится
фоточувствительный слой
|
46. Входное окно фотоэлектрического
полупроводникового приемника излучения
Входное окно
ФЭПП
D. Photoempfängereingangsfenster
E. Detector window
F. Fenétre du
détecteur
|
-
|
-
|
Оптический элемент, входящий в конструкцию
корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и
пропускающий излучение к фоточувствительному элементу
|
47.
Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника
излучения
Апертурная
диафрагма ФЭПП
D. Aperturblende des Photoempfängers
E. Detector aperture stop
F. Diaphragme d'ouverture du
détecteur
|
-
|
-
|
Конструктивный элемент, ограничивающий
эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника
излучения
|
48. Выход фотоприемного устройства
|
-
|
-
|
Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая
связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью
|
ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ
ФЭПП
|
49. Рабочее напряжение ФЭПП
D. Betriebsspannung
E. Operating voltage
F. Tension de régime
Tension de service
|
Up
|
Uop
|
Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при
котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе
|
50.
Пробивное напряжение фотодиода
D. Durchbruchspannung einer Photodiode
E. Breakdown voltage of a
photodiode
F. Tension de claquage de
photodiode
|
Uпр
|
UBR
|
Значение обратного напряжения, не вызывающее
пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного
значения
|
51.
Максимально допустимое напряжение ФЭПП
D. Maximal zulässige Spannung
E. Maximum admissible voltage
F. Tension maximale admissible
|
Umax
|
Umax
|
Максимальное значение постоянного напряжения,
приложенного к ФЭПП, при котором отклонение его параметров от номинальных
значений не превышает указанных пределов при длительной его работе
|
52.
Электрическая прочность изоляции ФЭПП
D. Isolationsfestigkeit
E. Insulating strength
F. Rigidité d'isolement
|
uиз
|
ui
|
Максимально допустимое напряжение между
выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не
происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции
|
53.
Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП
D. Differentieller electrischer
Widerstand
E. Differential electrical
resistance
F. Résistance
differentielle électrique
|
Rд
|
Rd
|
Отношение малых приращений напряжения и тока
на ФЭПП
|
54.
Статическое сопротивление ФЭПП
D. Statischer
Widerstand
E. Static resistance
F. Résistance statique
|
Rc
|
Rs
|
Отношение постоянного напряжения ФЭПП к
проходящему через него постоянному току
|
55.
Темновое сопротивление ФЭПП
D. Dunkelwiderstand
E. Dark resistance
F. Resistance d'obscurité
|
Rt
|
Rd
|
Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на
него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*
|
56.
Сопротивление фотодиода при нулевом смещении
D. Nullpunktwiderstand einer
Photodiode
E. Zero bias resistance of a
photodiode
F. Résistance du point
zéro de photodiode
|
R0
|
R0
|
Сопротивление фотодиода по постоянному току
вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях
смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной
чувствительности*
|
57.
Световое сопротивление ФЭПП
D. Hellwiderstand
E. Resistance under illumination
F. Résistance sous
éclairement
|
RE
|
RE, RH
|
Сопротивление ФЭПП при воздействии на него
потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности
|
58.
Темповой ток ФЭПП
D. Dunkelstrom
E. Dark current
F. Courant d'obscurité
|
It
|
Id
|
Ток, протекающий через ФЭПП при указанном
напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной
чувствительности*
|
59.
Фототек ФЭПП
D. Photostrom
E. Photocurrent
F. Photocourant
|
IФ
|
Ip
|
Ток, проходящий через ФЭПП при указанном
напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с
заданным спектральным распределением.
Примечание. Кроме равновесного теплового
излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП
|
60.
Общий ток ФЭПП
D. Gesamtstrom
E. Total current
F. Courant total
|
Iобщ
|
Itot
|
Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и
фототока
|
61.
Напряжение фотосигнала ФЭПП
D. Photosignalspannung
E. Photoelectric signal voltage
F. Tension de signal
photoélectrique
|
uc
|
us
|
Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное
действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.
Примечание. Так как по переменному току
нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно
измерять на нагрузке
|
62.
Ток фотосигнала ФЭПП
D. Photosignalstrom
E. Photoelectric signal current
F. Courant de signal
photoélectrique
|
Ic
|
Is
|
Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное
действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала
|
ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**
|
63.
Чувствительность ФЭПП
D. Ansprechempfindlichkeit
E. Responsivity
F. Reponse
|
s
|
s
|
Отношение изменения электрической величины на
выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной
характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или
фотометрической величиной
|
64.
Чувствительность ФЭПП к потоку излучения
D. StrahlungsfluPempfindUchkeit
E. Radiant flux responsivity
F. Réponse au flux
énergétique
|
![](4294831821.files/x002.gif)
|
![](4294831821.files/x004.gif)
|
-
|
65.
Чувствительность ФЭПП к световому потоку
D. Lichtstromempfindlichkeit
E. Luminous flux responsivity
F. Réponse au flux lumineux
|
SФ
|
![](4294831821.files/x006.gif)
|
-
|
66.
Чувствительность ФЭПП к
облученности
D. Bestrahlungstärkeempfindlichkeit
E. Irradiance responsivity
F. Réponse à
l'éclairement énergétique
|
![](4294831821.files/x008.gif)
|
![](4294831821.files/x010.gif)
|
-
|
67.
Чувствительность ФЭПП к освещенности
D. Beleuchtungsstärkeempfindlichkeit
E. Illumination responsivity
F. Réponse à
l'eclairement lumineux
|
Se
|
![](4294831821.files/x012.gif)
|
-
|
68.
Токовая чувствительность ФЭПП
D. Stromempfindlichkeit
E. Current responsivity
F. Réponse en courant
|
Si
|
Si
|
-
|
69.
Вольтовая чувствительность ФЭПП
D. Spannungsempfindlichkeit
E. Voltage responsivity
F. Réponse en tension
|
su
|
sv
|
-
|
70.
Интегральная чувствительность ФЭПП
D. Gesamtempfindlichkeit
E. Total responsivity
F. Réponse globale
|
Sинт
|
Stot
|
Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому
излучению заданного спектрального состава
|
71.
Монохроматическая чувствительность ФЭПП
D. Monochromatische Empfindlichkeit
E. Monochromatic responsivity
F. Réponse monochromatique
|
Sλ
|
Sλ
|
Чувствительность ФЭПП к монохроматическому
излучению
|
72.
Статическая чувствительность ФЭПП
D. Statische Empfindlichkeit
E. Static responsivity
F. Réponse statique
|
Sст
|
sst
|
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением
постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
|
73.
Дифференциальная чувствительность ФЭПП
D. Differentielle EmpfindUchkeit
E. Differential responsivity
F. Réponse
différentielle
|
SД
|
sd
|
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением
малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения
|
74.
Импульсная чувствительность ФЭПП
D. Impulsempfindlichkeit
E. Pulse responsivity
F. Réponse d'impulsions
|
Sимп
|
Sp
|
Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением
амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного
потока излучения заданной формы модуляции
|
75.
Наклон люксомической характеристики фоторезистора
D. Steilheit der Lux-Olmi-Kennlinie
E. ffluminance-resistance
characteristique slope
F. Pente de caractéristique
éclairementrésistance
|
γ
|
γ
|
Тангенс угла линейного участка люксомической
характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе
|
ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП
|
76. Ток шума ФЭПП
D. Rauschstrom
E. Noise current
F. Courant de bruit
|
Iш
|
In
|
Среднее квадратичное значение флуктуации
общего тока ФЭПП в заданной полосе частот
|
77.
Напряжение шума ФЭПП
D. Rauschspannung
E. Noise voltage
F. Tension de bruit
|
Uш
|
Un
|
Среднее квадратичное значение флуктуации
напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот
|
78.
Порог чувствительности ФЭПП
Порог
D. Äquivalente Rauschleistung
E. Noise equivalent power
F. Puissance équivalente au
bruit
|
Фп
|
Фmin,
![](4294831821.files/x014.gif)
|
Среднее квадратичное значение первой гармоники
действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным
спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой
гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению
напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока
излучения.
Примечание. Полосу частот выбирают, как правило,
в пределах 20 % от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной
плотности шума в ее пределах можно было пренебречь
|
79.
Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот
Порог в
единичной полосе частот
D. Äquivalente Rauschleistung
im Einheitsfrequenzband
E. Unit frequency bandwidth noise
equivalent power
F. Puissance équivalente au
bruit dans une bande passante des fréquences unitaire
|
Фп1
|
NEP
|
Среднее квадратичное значение первой гармоники
действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с
заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное
значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему
квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной
полосе на частоте модуляции потока излучения
|
80.
Удельный порог чувствительности ФЭПП
Удельный
порог
D. Spezifischc äquivalente
Rauschleistung
E. Specific noise equivalent power
F. Puissance réduite
équivalente au bruit
|
Фп*
|
NEP*
|
Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к
единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу
|
81.
Обнаружительная способность ФЭПП
D. Nachweisfähigkeit
R. Detectivity
F. Détectivité
|
D
|
D
|
Величина, обратная порогу чувствительности
ФЭПП
|
82.
Удельная обнаружительная способность ФЭПП
D. Spezifischc Nachweisfähigkeit
E. Specific detectivity
F. Détectivité
réduite
|
D*
|
D*
|
Величина, обратная удельному порогу
чувствительности ФЭПП
|
83.
Радиационный порог чувствительности ФЭПП
E. Noise equivalent power of the
background limited infrared photodetector (BLIP)
F. Puissance équivalente au
bruit du philra détecteur
|
![](4294831821.files/x016.gif)
|
ФBLIP
|
Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого
обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры
|
ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ
|
84. Длина волны максимума спектральной
чувствительности ФЭПП
D. Wellenlänge der maximalen
Spektralempfindlichkeit
E. Peak spectral response
wavelength
F. Longueur d'onde de la
sensibilité spectrale maximale
|
λmax
|
λS
|
Длина волны, соответствующая максимуму
спектральной характеристики чувствительности
|
85.
Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
D. Kurzwellengrenze
E. Short wavelength limit
|
λ'
|
![](4294831821.files/x018.gif)
|
Наименьшая длина волны монохроматического
излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее
максимального значения
|
86.
Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП
D. Langwellengrenze
E. Long wavelength limit
|
λ''
|
![](4294831821.files/x020.gif)
|
Наибольшая длина волны монохроматического излучения,
при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее
максимального значения
|
87.
Область спектральной чувствительности ФЭПП
D. Spektralcr
Empfindlichkeitsbereich
E. Spectral sensitivity range
F. Part sensible spectral
|
Dλ
|
Dλ
|
Диапазон длин волн спектральной характеристики
ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10 % своего
максимального значения
|
ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП
|
88.
Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП
D. Effektivfläche des Fühlelements
E. Effective area of the
responsive element
F. Aire efficace de
1'élement détecteur
|
АЭФФ
|
Aeff
|
Площадь фоточувствительного элемента
эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно
распределена по фоточувствительному элементу и равна номинальному значению
локальной чувствительности данного ФЭПП.
Примечание. Определяется
соотношением
![](4294831821.files/x022.gif)
где S (x, у) - чувствительность к потоку при облучении
фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами (х, у);
А - площадь этого фоточувствительного
элемента.
В качестве номинального значения локальной
чувствительности SN как
правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в
точке, х0,
у0). Для ФЭПП с резкими
неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности
на краях) методика выбора SN оговаривается
дополнительно
|
89.
Плоский угол зрения ФЭПП
D. Gesichtsfeldwinkel
E. Angular field of view
F. Angle d'ouverture
|
2b
|
2b
|
Угол в нормальной к фоточувствительному
элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения,
при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного
уровня
|
90.
Эффективное поле зрения ФЭПП
D. Effektiver
Gesichtsfeldraumwinkel
E. Effective weighted solid angle
F. Angle solide efficace
|
Ωэфф
|
Ωeff
|
Телесный угол, определяемый соотношением
![](4294831821.files/x024.gif) ![](4294831821.files/x026.gif)
где Uc -напряжение фотосигнала ФЭПП;
допускается замена параметра UC на 1с, IФ
Ω - угол между направлением падающего
излучения и нормалью к фоточувствительному элементу;
j - азимутальный угол
|
ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП
|
91. Время нарастания ФЭПП
Время
нарастания
D. Anstiegszeit der normierten
Übergangskennlinie
E. Rise time of the normalized
transfer characteristic
F. Temps de montée de
caractéristique de transmission normalisée
|
t0,1
- 0,9
|
tr
|
Минимальный интервал времени между точками
переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9
соответственно
|
92.
Время спада ФЭПП
Время
спада
D. Abfallzeit der normierter
Umkehrübergangskennhnie
E. Decay time of the normalized
inverse transfer characteristic
F. Temps de descente de
caractéristique de transmission inverse normalisée
|
t0,9
- 0,1
|
tf
|
Минимальный интервал времени между точками
обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9
соответственно
|
93.
Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню к
Время
установления
D. Einstellzeit der normierten Übergangskennlinie
E. Set-up time of the normalized
transfer characteristic
F. Temps d'établissement
caractéristique de transmission normalisée
|
![](4294831821.files/x028.gif)
|
-
|
Минимальное время от начала воздействия
импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение
нормированной переходной характеристики h0 (t) от установившегося значения не превышает k.
/1 - h0
(t) / £ k при t ³ tуст k
|
94. Предельная частота ФЭПП
D. Grenzfrequenz
E.
Cut-off frequency
F.
Fréquence de coupure
|
f0
|
fg
|
Частота синусоидальномодулированного потока
излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от
чувствительности при немодулированном излучении
|
95. Емкость
ФЭПП
D. Kapazität
E.
Capacitance
F.
Capacité
|
С
|
С
|
|
96. Последовательное
сопротивление фотодиода
D. Reihenwiderstand
einer Photodiode
E. Series
resistance
F.
Résistance série
|
Rпосл
|
RS
|
Активная составляющая электрического
сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно
емкости перехода фотодиода
|
ПАРАМЕТРЫ
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП
|
97. Число элементов ФЭПП
D. Fühlelementenanzahl
E.
Element number
F. Nombre
des éléments
|
N
|
-
|
-
|
98. Шаг
элементов ФЭПП
D. Rastermass
E. Pitch
F.
Ecartement
|
h
|
Р
|
Расстояние между центрами двух соседних
фоточувствительных элементов ФЭПП
|
99. Межэлементный
зазор многоэлементного ФЭПП
D. Fühlelementenabstand
E.
Element spacing
F.
Espacement des éléments
|
Dl
|
Dl
|
Расстояние между наименее удаленными друг от
друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП
Отношение напряжения сигнала с
|
100. Коэффициент
фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП
D. Photoelektrischer
Kopplungsfaktor
E. Photoelectric
coupling coefficient
F. Coefficient de couplage
photoélectrique
|
Кфс
|
Kc
|
необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП
к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном
участке энергетической характеристики
|
101. Разброс
значений параметров многоэлементного ФЭПП
D. Parameterstreuung
E. Figure
ol merit straggling
F.
Dispersion de figure de mérite
|
δx
|
δx
|
Отношение полуразности наибольшего и
наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном
ФЭПП к среднему значению этого параметра.
Примечание. В буквенном обозначении
вместо «X» следует указывать буквенное
обозначение соответствующего параметра
|
ПАРАМЕТРЫ
ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***
|
102. Напряжение на коллекторе фототранзистора
D. Kollektorspannung
E.
Collector voltage
F.
Tension du collecteur
|
![](4294831821.files/x030.gif)
|
UCB
|
Напряжение между коллектором и выводом,
который является общим для схемы включения фототранзистора
|
![](4294831821.files/x032.gif)
|
UCE
|
103. Напряжение
на эмиттере фототранзистора
D. Emitterspannung
E. Emitter
voltage
F.
Tension d'émetteur
|
![](4294831821.files/x034.gif)
|
UEB
|
Напряжение между эмиттером и выводом, который
является общим для схемы включения фототранзистора
|
![](4294831821.files/x036.gif)
|
UEC
|
104. Напряжение на базе фототранзистора
D. Basisspannung
E. Base voltage
F. Tension de base
|
![](4294831821.files/x038.gif)
|
UBE
|
Напряжение между базой и выводом, который
является общим для схемы включения фототранзистора
|
![](4294831821.files/x040.gif)
|
UBC
|
105.
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung
eines Phototransistors
E. Collector-emitters breakdown
voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage
collecteur-émetteur de phototransistor
|
![](4294831821.files/x042.gif)
|
Ubr ceo
|
Пробивное напряжение между выводами коллектора
и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения
в диапазоне спектральной чувствительности*
|
106.
Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung
eines Phototransistors
E. Collector-base breakdown
voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage
collecteur-base de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x044.gif)
|
Ubr cbo
|
Пробивное напряжение между выводами коллектора
и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения
в диапазоне спектральной чувствительности*
|
107.
Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung
eines Phototransistors
E. Emitter-base breakdown voltage
of a phototransistor
F. Tension de claquage
emetteur-base de
pbototransistor
|
![](4294831821.files/x046.gif)
|
Ubr ebo
|
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и
базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения
в диапазоне спектральной чувствительности*
|
108.
Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung
eines Phtototransistors
E. Emitter-collector breakdown
voltage of a phototransistor
F. Tension de claquage
émetteur-collecteur de phototransistor
|
![](4294831821.files/x048.gif)
|
Ubr eco
|
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и
коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне
спектральной чувствительности*
|
109.
Темновой ток коллектора фототранзистора
D. Kollektordunkelstrom
E. Collector dark current
F. Courant d'obscurité du
collecteur
|
![](4294831821.files/x050.gif)
|
ICEO, ICBO, ICCO
|
-
|
110.
Темновой ток эмиттера фототранзистора
D. Emitterdunkelstrom
E. Emitter dark current
F. Courant d'obscurité
d'émetteur
|
![](4294831821.files/x052.gif)
|
IEBO, IEEO, IECO
|
-
|
111.
Темновой ток базы фототранзистора
D. Basisdunkelstrom
E. Base dark current
F. Courant d'obscurité de
base
|
![](4294831821.files/x054.gif)
|
IBBO, IBEO, IBCO
|
-
|
112.
Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom
eines Phototransistors
E. Collector-emitter dark current
of a phototransistor
F. Courant d'obscurité
collecteur-émetteur de phototransistor
|
![](4294831821.files/x056.gif)
|
ICEO
|
Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в
базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока
излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
|
113. Темновой ток
коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom
eines Phototransistors
E. Collector-base dark current of
a photo-transistor
F. Courant d'obscurité
collecteur-base de phototransistor
|
![](4294831821.files/x058.gif)
|
ICBO
|
Ток в цепи коллектора, протекающий при
отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие
потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
|
114.
Темновой ток эмиттер-база фототранзистора
D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines
Phototransistors
E. Emitter-base dark current of a
phototransistor
F. Courant d'obscurité
émetteur-base de phototransistor
|
![](4294831821.files/x060.gif)
|
IEBO
|
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при
отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие
потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
|
115.
Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора
D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom
eines Phototransistors
E. Emitter-collector dark current
of a phototransistor
F. Courant d'obscurité
émetteur-collecteur de phototransistor
|
![](4294831821.files/x062.gif)
|
IECO
|
Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при
отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока
излучения в диапазоне спектральной чувствительности*
|
116.
Фототок коллектора фототранзистора
D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors
E. Collector photocurrent of a
phototransistor
F. Photocourant du collecteur de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x064.gif)
|
IСЕН, IСВН, IССН
|
-
|
117.
Фототок эмиттера фототранзистора
D. Emitterphotostrom eines Phototransistors
E. Emitter photocurrent of a
phototransistor
F. Photocourant d'emetteur de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x066.gif)
|
IЕBН ,IEEН, IEСН
|
-
|
118. Фототок базы фототранзистора
D. Basisfotostrom eines
Phototransistors
E. Base photocurrent of a
phototransistor
F. Photocourant de base de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x068.gif)
|
IBBН ,IBEН, IBСН
|
-
|
119.
Общий ток коллектора фототранзистора
D. Kollektorgesamtstrom eines
Phototransistors
E. Collector total current of a phototransistor
F. Courant total du collecteur de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x070.gif)
|
ICE ,ICB, IСC
|
-
|
120.
Общий ток эмиттера фототранзистора
D. Emittergesamtstrom eines
Phototransistors
E. Emitter total current of a
phototransistor
F. Courant total d'émetteur
de phototransistor
|
![](4294831821.files/x072.gif)
|
IEB ,IEE, IEC
|
-
|
121.
Общий ток базы фототранзистора
D. Basisgesamtstrom eines
Phototransis-tors
E. Base total current of a
phototransistor
F. Courant total de base de
phototransistor
|
![](4294831821.files/x074.gif)
|
IBB ,IBE, IBC
|
-
|
122.
Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора
D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom
eines Phototransistors
E. Collector-emitter total current
of a phototransistor
F. Courant total
collecteur-émetteur de phototransistor
|
![](4294831821.files/x076.gif)
|
IСЕН
|
Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через
фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным
спектральным распределением
|
123.
Общий ток коллектор-база фототранзистора
D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom
eines Phototransistors
E. Collector-base total current of
a phototransistor
F. Courant total collecteur-base
de phototransistor
|
![](4294831821.files/x078.gif)
|
IСBН
|
Общий ток коллектор-база, протекающий через
фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным
спектральным распределением
|
124.
Токовая чувствительность фототранзистора
D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors
E. Current responsivity of the
phototransistor
F. Réponse en courant du
phototransistor
|
![](4294831821.files/x080.gif)
|
-
|
Отношение изменения электрического тока на
выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при
холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
|
125.
Вольтовая чувствительность фототранзистора
D. SpannungsempfmdUchkeit eines Phototransistors
E. Voltage responsivity of the
phototransistor
F. Réponse en tension du
phototransistor
|
![](4294831821.files/x082.gif)
|
-
|
Отношение изменения напряжения на входе
фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом
ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току
|
126.
Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора
D. Photostromverstärkungsfaktor
E. Photocurrent gain factor
F. Gain de photocourant
|
KУФ
|
-
|
Отношение фототока коллектора фототранзистора
при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном
режиме
|
ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ
|
127. Линейная зона координатной
характеристики координатного фотодиода
|
2Dх
|
-
|
Участок координатной характеристики
координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного
значения
|
128. Дифференциальная крутизна
координатной характеристики координатного фотодиода
|
Sдифф
|
-
|
Отношение малого приращения фотосигнала
координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна,
отнесенного к единице потока излучения
|
129. Статическая крутизна координатной
характеристики координатного фотодиода
|
Sстат
|
-
|
Отношение
полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты
светового пятна, отнесенное к единице потока излучения
|
130. Нулевая точка
координатного фотодиода
|
Х0
|
Х0
|
Координата
энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе
координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю
|
131. Выходное
сопротивление координатного фотодиода
|
Rвых
|
R0
|
Отношение
напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку
короткого замыкания при малом потоке излучения
|
ПАРАМЕТРЫ
ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ
|
132. Коэффициент
умножения темнового тока лавинного фотодиода
D.
Dunkelstromverstärkungsfaktor der Lawinenphotodiode
E.
Darkcurrent multiplication factor of the avalanche photodiode
F.
Facteur de multiplication de courant d'obscurité de photodiode
à avalanche
|
мт
|
мd
|
Отношение
темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к
темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем
эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии
засветки и прочих равных условиях
|
133. Коэффициент
умножения фототока лавинного фотодиода
D. Pnotostromvervielfachungsfaktor
E.
Photocurrent multiplication factor
F.
Facteur de multiplication de photocourant
|
МФ
|
Мph
|
Отношение
фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в
лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том
же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.
Примечание. Если
фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают
интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный
коэффициент умножения
|
134. Точность
поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода
D.
Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung
E.
Operating voltage constant keeping accuracy
|
![](4294831821.files/x084.gif)
|
![](4294831821.files/x086.gif)
|
Относительное
изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока
изменяется в заданных пределах
|
135. Температурный
коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода
D. Temperaturkoeffizient
der Betribsspannung
E.
Operating voltage temperature coefficient
F.
Coefficient de temprature de tension de régime
|
bU
|
bU
|
Отношение
изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока
достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению
при исходной температуре.
Примечание. При
малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент
рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический
температурный коэффициент рабочего напряжения
|
ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ
|
136. Коэффициент усиления инжекционно-го
фотодиода
D. Verstärkungsfaktor der
Injectionsphotodiode
E. Injection photodiode gain
F. Gain de photodiode à
injection
|
К
|
-
|
Отношение токовой чувствительности
инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности
фотодиода в фотогальваническом режиме
|
137.
Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода
D. Relativer
Verstärkungsfaktor
E. Relative gain
F. Gainrelatif
|
KY
|
-
|
Отношение токовой чувствительности
инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности
фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением
контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.
Примечание. Для инжекционных фотодиодов с
линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением
токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке,
деленном на отношение этих напряжений
|
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП
|
138.
Рассеиваемая мощность ФЭПП
D. Gesamtverlustleistung
E. Total power dissipation
F. Dissipation totale de puissance
|
Р
|
Рtot
|
Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и
определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на
него излучения
|
139.
Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП
D. Maximal zulässige
Verlustleistung
E. Maximum admissible power
dissipation
F. Puissance dissipée
maximale admissible
|
Рmax
|
Рmax
|
Максимальная электрическая мощность,
рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных
значений не превышает указанных пределов при длительной работе
|
140. Критическая мощность излучения
для ФЭПП
|
Фкрит
|
-
|
Максимальная мощность импульсного или
постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики
ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня
|
141. Динамический диапазон ФЭПП
D. Dynamischer Bereich
E. Dynamic range
F. Gamme dynamique
|
д
|
-
|
Отношение критической мощности излучения для
ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.
Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в
области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают
минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической
характеристики от линейного закона достигает заданного уровня
|
142.
Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу
D. Flächenungleichmässigkeit
der Empfindlichkeit
E. Spacing response non-uniformity
F. Non-uniformité de la
réponse spatiale
|
![](4294831821.files/x088.gif)
|
-
|
Разность
наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП S (x, у) измеренной при
перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с
заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к
среднему значению чувствительности
|
143.
Нестабильность сопротивления ФЭПП
D. Instabilitätskoefiizient des Widerstandes
E. Resistance unstability
coefficient
F. Coefficient de
1'instabilité de résistance
|
![](4294831821.files/x090.gif)
|
-
|
Отношение
максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при
постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала
времени к среднему значению ![](4294831821.files/x092.gif)
|
144. Нестабильность темнового тока ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient
des Dunkelstromes
E. Dark current unstability
coefficient
F. Coefficient de
l'instabilité du courant d'obscurité
|
![](4294831821.files/x094.gif)
|
-
|
Отношение максимального отклоне ния темнового
тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при
постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению: ![](4294831821.files/x096.gif)
|
145.
Нестабильность чувствительности ФЭПП
D. Instabilitätskoeffizient der Empfindlichkeit
E. Response unstability
coefficient
F. Coefficient de
l'instabilité de la réponse
|
![](4294831821.files/x098.gif)
|
-
|
Отношение максимального отклонения напряжения
фотоситнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при
постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении
питания ФЭПП к среднему значению
|
146.
Температурный коэффициент фототока ФЭПП
D. Temperaturkoeffizient des
Photostromes
E. Photocurrent-temperature
coefficient
F. Coefficient de
température du photocourant
|
aT
|
-
|
Отношение процентного изменения фототока ФЭПП
к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при
заданной освещенности (облученности)
|
147.
Световая нестабильность ФЭПП
D. Lichtinstabilität
E. Light unstability
F. Instabilité lumineuse
|
v
|
-
|
Изменение светового сопротивления ФЭПП,
происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении
|
148. Температура выхода на режим
оптической генерации
|
-
|
-
|
-
|
149. Время выхода на режим охлаждаемого
ФЭПП
Е. Cooldown time
|
tвых
|
tcd
|
Интервал времени с момента включения системы
охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого
ФЭПП достигают заданного уровня
|
150.
Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП
D. Unabhängige Betriebszeit
E. Independent operating time
F. Durée d'opération
autonome
|
![](4294831821.files/x100.gif)
|
![](4294831821.files/x102.gif)
|
Интервал времени с момента отключения системы
охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого
ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня
|
СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
|
151. Спектральная характеристика
чувствительности ФЭПП
D. Spektrale Empfindlichkeit
E. Spectral sensitivity
F. Sensibilité spectrale
|
S (λ)
|
S (λ)
|
Зависимость монохроматической чувствительности
ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения
|
152.
Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Absolute spektrale
Empfrndlichkeitskennlinie
E. Absolute spectral-response
characteristic
F. Caractéristique de
sensibilité spectrale absolue
|
Sабс (λ)
|
Sabs (λ)
|
Зависимость монохроматической чувствительности
ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока
излучения
|
153.
Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Relative spektrale
Empfindlichkeitskennlinie
|
SОПТ (λ)
|
Srel (λ)
|
Зависимость монохроматической чувствительности
ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности,
от длины волны регистрируемого потока излучения
|
ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
|
154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП
D. Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Current-voltage characteristic
F. Caractéristique
couranttension
|
I (U)
|
I (U)
|
Зависимость электрического тока от напряжения,
приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения
|
155.
Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Input current-voltage
characteristic
F. Caractéristique
couranttension d'entrée
|
Iвх (U)
|
Iin (U)
|
Зависимость электрического тока от напряжения
на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном
потоке излучения
|
156.
Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора
D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie
E. Output current-voltage
characteristic
F. Caractéristique
couranttension de sortie
|
Iвых (U)
|
I0 (U)
|
Зависимость электрического тока от напряжения
на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке
излучения
|
157.
Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit
der Empfindlichkeit
E. Bias voltage response characteristic
|
S (U)
|
S (U)
|
Зависимость чувствительности от напряжения,
приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения
|
158.
Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit
des Rauschstromes
E. Bias noise current
characteristic
|
IШ (U)
|
In (U)
|
Зависимость среднего квадратичного значения
тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
|
159.
Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Betriebsspannungsabhängigkeit
der Rauschspannung
E. Bias noise voltage
characteristic
|
UШ (U)
|
Un (U)
|
Зависимость среднего квадратичного значения
напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП
|
160.
Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
D.
Betriebsspannungsabhängigkeit der Nachweisfähigkeit
E. Bias detectivity characteristic
|
D* (U)
|
D* (U)
|
Зависимость удельной обнаружительной
способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему
|
161.
Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода
D.
Betriebsspannungsabhängigkeit des Vervielfachungsfaktors der
Lawinenphotodiode
E. Bias multiplication factor
characteristic of the avalanche photodiode
|
MT (U), MФ (U)
|
Md (U), Mph
(U)
|
Зависимость коэффициента умножения лавинного
фотодиода от напряжения, приложенного к нему
|
ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП
ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ
|
162. Энергетическая характеристика фототока
ФЭПП
D. Abhängigkeit des
Photostroms von dem Strahlungsfluss
E. Photocurrent-radiant flux
characteristic
|
IФ (Ф)
|
Iph (Ф)
|
Зависимость фототока ФЭПП от потока или
плотности потока излучения, падающего на ФЭП
|
163.
Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП
D. Abhängigkeit der
Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss
E. Photoelectric signal
voltage-radiant flux characteristic
|
Uс (Ф)
|
US (Ф)
|
Зависимость параметра фототока, сопротивления,
напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока
излучения, падающего на ФЭПП
|
164.
Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора
D. Strahlungsflussabhängigkeit
des sta-tischen Widerstands
E. Radiant power-static resistance
characteristic
|
Rс (Ф)
|
RS (Ф)
|
Зависимость статического сопротивления
фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на
фоторезистор
|
165.
Люксомическая характеристика фоторезистора
D. Abhängigkeit des inneren Widerstands von der Beleuchtungsstärke
E. Resistance-Illuminance
characteristic
|
RE (E)
|
RE (E), RH (E)
|
Зависимость светового сопротивления
фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор
|
166.
Люкс-амперная характеристика ФЭПП
D. Abhängigkeit des
Photostroms von der Beleuchtungsstärke
E. Photocurrent-Illuminance
characteristic
|
IФ (E)
|
Iph (E)
|
Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или
светового потока, падающего на ФЭПП
|
167. Входная энергетическая
характеристика фототранзистора
|
Uвх
(Ф), Iвх
(Ф)
|
-
|
Зависимость напряжения (тока) на входе
фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном
напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе
|
168. Выходная энергетическая
характеристика фототранзистора
|
Iвых (Ф)
|
-
|
Зависимость электрического тока на выходе
фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном
напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе
|
ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
|
169. Частотная характеристика чувствительности
ФЭПП
D. Frequenzgang der
Empfindlichkeit
E. Frequency response
characteristic
F. Caractéristique de
fréquence de la réponse
|
S (f)
|
S (f)
|
Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты
модуляции потока излучения
|
170.
Спектр тока шума ФЭПП
D. Rauschstromspektrum
E. Noise current spectrum
F. Spectre du courant de bruit
|
IШ (f)
|
In (f)
|
Распределение плотности среднего квадратичного
значения тока шума ФЭПП по частотам
|
171.
Спектр напряжения шума ФЭПП
D. Rauschspannungsspektrum
E. Noise voltage spectrum
F. Spectre de la tension de bruit
|
UШ (f)
|
Un (f)
|
Распределение плотности среднего квадратичного
значения напряжения шума ФЭПП по частотам
|
172.
Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
Е. Specific detectivity frequency
dependence
|
D* (f)
|
D* (f)
|
Зависимость удельной обнаружительной
способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения
|
ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
|
173.
Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП
D. Abhängigkeit des
Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Resistance under
illumination-background radiant flux characteristic
|
RE (f)
|
RE (f), RH (f)
|
Зависимость сопротивления ФЭПП от
немодулированного потока излучения фона
|
174.
Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Abhängigkeit der
Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Responsivity-background radiant
flux characteristic
|
S (Ф)
|
S (Ф)
|
Зависимость чувствительности ФЭПП от
немодулированного потока излучения фона
|
175.
Фоновая характеристика тока шума ФЭПП
D. Abhängigkeit des Rauschstroms
von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Noise current-background
radiant flux characteristic
|
IШ (f)
|
In (f)
|
Зависимость тока шума ФЭПП от
немодулированного потока излучения фона
|
176.
Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Abhängigkeit der
Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Noise voltage-background
radiant flux characteristic
|
UШ (f)
|
Un (f)
|
Зависимость напряжения шума ФЭПП от
немодулированного потока излучения фона
|
177.
Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе
частот
D. Abhängigkeit der equivalenten
Rau-schleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung
E. NEP-background radiant flux
characteristic
|
Фп1 (Ф)
|
-
|
Зависимость порога чувствительности ФЭПП в
единичной полосе частот от потока излучения фона
|
178.
Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
D. Abhängigkeit der spezifischen
Nachweisfähigkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss
E. Specific detectivity-background
radiant flux characteristic
|
D* (Ф)
|
D* (Ф)
|
Зависимость удельной обнаружительной
способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона
|
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП
|
179. Температурная характеристика светового
сопротивления ФЭПП
D. Temperaturverlauf des
Hellwiderstands
E. Resistance under illumination-temperature
characteristic
|
RE (T)
|
RE (T), RH (T)
|
-
|
180.
Температурная характеристика темпового сопротивления ФЭПП
D. Temperaturverlauf des
Dunkelwiderstands
E. Dark resistance-temperature
characteristic
|
RT (T)
|
-
|
-
|
181.
Температурная характеристика темпового тока ФЭПП
D. Temperaturverlauf des
Dunkelstroms
E. Dark current-temperature
characteristic
|
IT (T)
|
Id (T)
|
-
|
182.
Температурная характеристика чувствительности ФЭПП
D. Temperaturverlauf der
Empfrndlichkeit
E. Responsivity-temperature
characteristic
|
S (T)
|
S (T)
|
-
|
183.
Температурная характеристика тока шума ФЭПП
D. Temperaturverlauf des
Rauschstroms
E. Noise current-temperature
characteristic
|
IШ (T)
|
In (T)
|
-
|
184.
Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП
D. Temperaturverlauf der
Rauschspannung
E. Noise voltage-temperature
characteristic
|
UШ (T)
|
Un (T)
|
-
|
185.
Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной
полосе частот
D. Temperaturverlauf der
äquivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenz-hand
E. NEP-temperature characteristic
|
Фп1 (T)
|
-
|
-
|
186.
Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП
D. Temperaturverlauf der
spezifischen Nachweisfähigkeit
E. Specific
detectivity-temperature characteristic
|
D* (T)
|
D* (T)
|
-
|
187.
Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода
D. Temperaturverlauf der
Nullpunktdrift
E. Zero drift-temperature
characteristic
|
w
|
w
|
Зависимость смещения нулевой точки
координатного фотодиода от его температуры
|
ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ФЭПП
|
188. Переходная нормированная
характеристика ФЭПП
D. Normierte Übergangscharakteristik
E. Normalized transfer
charakteristic
F. Caractéristique de
transmission normalisée
|
X0 (T)
|
X0 (T)
|
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП
в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии
импульса излучения в форме единичной ступени.
Примечание. Импульс излучения в форме
единичной степени описывается выражением
![](4294831821.files/x104.gif)
В общем случае переходная нормированная
характеристика может иметь вид:
![](4294831821.files/x106.jpg)
|
189.
Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП
D. Normierte Umkehrübergangscharacteristik
E. Normalized inverse transfer
characteristic
F. Caractéristique de
transmission inverse normalisée
|
h0' (t)
|
-
|
Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП
в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком
прекращении воздействия излучения.
Примечание. Поток излучения при резком
прекращении воздействия описывается выражением
![](4294831821.files/x108.gif)
![](4294831821.files/x110.jpg)
|
190. Координатная характеристика
координатного фотодиода
|
Uвых (X)
|
-
|
Зависимость выходного напряжения или тока
фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе
координатного фотодиода
|
191. Временной дрейф нулевой точки
координатного фотодиода
Дрейф
нуля
D. Nullpunktdrift
E. Zero drift
|
x0 (t)
|
x0 (t)
|
Смещение нулевой точки координатного фотодиода
при постоянной температуре в течение заданного интервала времени
|
192.
Распределение чувствительности по элементу ФЭПП
D.
Empfindlichkeitsoberflächenverteilung
E. Responsivity surface
distribution
F. Distribution superficielle de
la réponse
|
S (x, у)
|
S (x, у)
|
Зависимость чувствительности ФЭПП от положения
светового зонда на светочувствительном элементе
|
193.
Угловая характеристика чувствительности ФЭПП
D. Empfindlichkeitswinkelverteilung
E. Responsivity directional
distribution
F. Distribution directionnelle de
la réponse
|
S (Θ)
|
S (Θ)
|
Зависимость чувствительности ФЭПП от утла
между направлением падающего излучения и нормалью плоскости
фоточувствительного элемента
|