ГОСТ 2.730-73
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ
СТАНДАРТ
ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
![](4294848038.files/x002.jpg)
|
Москва
Стандартинформ
2010
|
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ
СТАНДАРТ
Единая система
конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ.
Приборы полупроводниковые
Unified system for design
documentation. Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices
|
ГОСТ
2.730-73
|
Дата введения 01.07.74
1. Настоящий стандарт устанавливает правила
построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на
схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях
промышленности.
(Измененная редакция, Изм. № 3).
2. Обозначения элементов
полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.
Таблица
1
Наименование
|
Обозначение
|
1. (Исключен, Изм. № 2).
|
|
2. Электроды:
|
|
база с одним выводом
|
![](4294848038.files/x004.jpg)
|
база с двумя выводами
|
![](4294848038.files/x006.jpg)
|
Р-эмиттер с N-областью
|
![](4294848038.files/x008.jpg)
|
N-эмиттер
с Р-областью
|
![](4294848038.files/x010.jpg)
|
несколько Р-эмиттеров с N -областью
|
![](4294848038.files/x012.jpg)
|
несколько N
-эмиттеров с Р-областью
|
![](4294848038.files/x014.jpg)
|
коллектор с базой
|
![](4294848038.files/x016.jpg)
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе
|
![](4294848038.files/x018.gif)
|
3. Области:
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.
Переход от Р-области к N-области и наоборот
|
![](4294848038.files/x020.gif)
|
область собственной электропроводности (I-область):
l) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP
|
![](4294848038.files/x022.gif)
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN
|
![](4294848038.files/x024.gif)
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью
PIN или NIP
|
![](4294848038.files/x026.jpg)
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN
|
![](4294848038.files/x028.jpg)
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов:
обогащенного типа
|
![](4294848038.files/x030.gif)
|
обедненного типа
|
![](4294848038.files/x032.gif)
|
5. Переход PN
|
![](4294848038.files/x034.jpg)
|
6. Переход NP
|
![](4294848038.files/x036.jpg)
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип
|
![](4294848038.files/x038.jpg)
|
8. N
-канал на подложке Р-типа, обедненный тип
|
![](4294848038.files/x040.jpg)
|
9. Затвор изолированный
|
![](4294848038.files/x042.jpg)
|
10. Исток и сток
Примечание. Линия истока должна быть
изображена на продолжении линии затвора, например:
|
![](4294848038.files/x044.jpg)
|
11. Выводы полупроводниковых приборов:
|
|
электрически, не соединенные с корпусом
|
![](4294848038.files/x046.gif)
|
электрически соединенные с корпусом
|
![](4294848038.files/x048.jpg)
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к
корпусу помещать точку
|
![](4294848038.files/x050.jpg)
|
(Измененная редакция, Изм. №
2, 3).
3, 4. (Исключены,
Изм. № 1).
5. Знаки, характеризующие физические
свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
______
* Таблицы 2, 3 (Исключены, Изм. № 1).
Таблица
4
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Эффект туннельный
|
|
а)
прямой
|
![](4294848038.files/x052.gif)
|
б) обращенный
|
![](4294848038.files/x054.gif)
|
2.
Эффект лавинного пробоя:
а)
односторонний
|
![](4294848038.files/x056.gif)
|
б)
двухсторонний
3 - 8.
(Исключены, Изм. № 2).
|
![](4294848038.files/x058.gif)
|
9.
Эффект Шоттки
|
![](4294848038.files/x060.gif)
|
6. Примеры построения
обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.
Таблица
5
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
|
Общее обозначение
|
![](4294848038.files/x062.jpg)
|
2. Диод туннельный
|
![](4294848038.files/x064.jpg)
|
3.
Диод обращенный
|
![](4294848038.files/x066.jpg)
|
4.
Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)
|
|
а) односторонний
|
![](4294848038.files/x068.jpg)
|
б)
двухсторонний
|
![](4294848038.files/x070.jpg)
|
5.
Диод теплоэлектрический
|
![](4294848038.files/x072.jpg)
|
6.
Варикап (диод емкостный)
|
![](4294848038.files/x074.jpg)
|
7.
Диод двунаправленный
|
![](4294848038.files/x076.jpg)
|
8.
Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными
катодными выводами
|
![](4294848038.files/x078.jpg)
|
8a.
Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными
анодными выводами
|
![](4294848038.files/x080.jpg)
|
9.
Диод Шотки
|
![](4294848038.files/x082.jpg)
|
10.
Диод светоизлучающий
|
![](4294848038.files/x084.jpg)
|
7. Обозначения
тиристоров приведены в табл. 6.
Таблица 6
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x086.jpg)
|
2.
Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x088.jpg)
|
3.
Тиристор диодный симметричный
|
![](4294848038.files/x090.jpg)
|
4.
Тиристор триодный. Общее обозначение
|
![](4294848038.files/x092.jpg)
|
5.
Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением:
по
аноду
|
![](4294848038.files/x094.jpg)
|
по
катоду
|
![](4294848038.files/x096.jpg)
|
6.
Тиристор триодный выключаемый:
общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x098.jpg)
|
запираемый
в обратном направлении, с управлением по аноду
|
![](4294848038.files/x100.jpg)
|
запираемый
в обратном направлении, с управлением по катоду
|
![](4294848038.files/x102.jpg)
|
7.
Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:
|
|
общее
обозначение
|
![](4294848038.files/x104.jpg)
|
с
управлением по аноду
|
![](4294848038.files/x106.jpg)
|
с управлением
по катоду
|
![](4294848038.files/x108.jpg)
|
8.
Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак
|
![](4294848038.files/x110.jpg)
|
9.
Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении
|
![](4294848038.files/x112.jpg)
|
Примечание.
Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде
продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения
обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.
Таблица 7
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Транзистор
а)
типа PNP
|
![](4294848038.files/x114.jpg)
|
б)
типа NPN с выводом от внутреннего экрана
|
![](4294848038.files/x116.jpg)
|
2.
Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
|
![](4294848038.files/x118.jpg)
|
3.
Транзистор лавинный типа NPN
|
![](4294848038.files/x120.jpg)
|
4. Транзистор
однопереходный с N-базой
|
![](4294848038.files/x122.jpg)
|
5.
Транзистор однопереходный с Р-базой
|
![](4294848038.files/x124.jpg)
|
6.
Транзистор двухбазовый типа NPN
|
![](4294848038.files/x126.jpg)
|
7.
Транзистор двухбазовый типа PNIP
с выводом от i-области
|
![](4294848038.files/x128.jpg)
|
8.
Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области
|
![](4294848038.files/x130.jpg)
|
9.
Транзистор многоэмиттерный типа NPN
|
![](4294848038.files/x132.jpg)
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а)
выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
![](4294848038.files/x134.jpg)
б)
изображать корпус транзистора.
|
Таблица 8
Наименование
|
Обозначение
|
1. Транзистор полевой с каналом типа N
|
![](4294848038.files/x136.jpg)
|
2. Транзистор полевой с каналом типа Р
|
![](4294848038.files/x138.jpg)
|
3. Транзистор полевой с изолированным
затвором баз вывода от подложки:
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x140.jpg)
|
б) обогащенного типа с N-каналом
|
![](4294848038.files/x142.jpg)
|
в) обедненного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x144.jpg)
|
г) обедненного типа с N-каналом
|
![](4294848038.files/x146.jpg)
|
4. Транзистор полевой с изолированным
затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением
истока и подложки
|
![](4294848038.files/x148.jpg)
|
5. Транзистор полевой с изолированным
затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом
|
![](4294848038.files/x150.jpg)
|
6. Транзистор полевой с двумя
изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от
подложки
|
![](4294848038.files/x152.jpg)
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки
|
![](4294848038.files/x154.jpg)
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами
Шоттки
|
![](4294848038.files/x156.jpg)
|
Примечание. Допускается
изображать корпус транзисторов.
10. Примеры
построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых
приборов приведены в табл. 9.
Таблица 9
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Фоторезистор:
а)
общее обозначение
|
![](4294848038.files/x158.jpg)
|
б)
дифференциальный
|
![](4294848038.files/x160.jpg)
|
2.
Фотодиод
|
![](4294848038.files/x162.jpg)
|
З.
Фототиристор
|
![](4294848038.files/x164.jpg)
|
4.
Фототранзистор:
|
|
а) типа
PNP
|
![](4294848038.files/x166.jpg)
|
б) типа
NPN
|
![](4294848038.files/x168.jpg)
|
5.
Фотоэлемент
|
![](4294848038.files/x170.jpg)
|
6.
Фотобатарея
|
![](4294848038.files/x172.jpg)
|
11. Примеры построения обозначений
оптоэлектронных приборов приведены в табл. 10
Таблица 10
Наименование
|
Обозначение
|
1. Оптрон диодный
|
![](4294848038.files/x174.jpg)
|
2. Оптрон тиристорный
|
![](4294848038.files/x176.jpg)
|
3. Оптрон резисторный
|
![](4294848038.files/x178.jpg)
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и
усилителем:
|
|
а) совмещенно
|
![](4294848038.files/x180.jpg)
|
б) разнесенно
|
![](4294848038.files/x182.jpg)
|
5. Прибор оптоэлектронный с
фототранзистором:
а) с выводом от базы
|
![](4294848038.files/x184.jpg)
|
б) без вывода от базы
|
![](4294848038.files/x186.jpg)
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом.
При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками
оптического излучения и поглощения по ГОСТ
2.721-74,
например:
![](4294848038.files/x188.jpg)
2. Взаимная ориентация обозначений источника и
приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы,
например:
![](4294848038.files/x190.jpg)
12. Примеры построения обозначений прочих
полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.
Таблица 11
Наименование
|
Обозначение
|
1.
Датчик Холла
|
![](4294848038.files/x192.jpg)
|
Токовые
выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон
прямоугольника
|
|
2. Резистор
магниточувствительный
|
![](4294848038.files/x194.jpg)
|
3.
Магнитный разветвитель
|
![](4294848038.files/x196.jpg)
|
13.
Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.
Таблица 12
Наименование
|
Обозначение
|
1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:
|
![](4294848038.files/x198.jpg)
|
а) развернутое изображение
|
б)
упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. К выводам 1 - 2
подключается напряжение переменного тока; выводы 3 - 4 -
выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность.
Цифры
1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.
|
![](4294848038.files/x200.jpg)
|
Пример
применения условного графического обозначения на схеме
|
![](4294848038.files/x202.jpg)
|
2.
Трехфазная мостовая выпрямительная схема
|
![](4294848038.files/x204.jpg)
|
3.
Диодная матрица (фрагмент)
|
![](4294848038.files/x206.jpg)
|
Примечание. Если все диоды в узлах
матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ
изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе
включения диодов
|
![](4294848038.files/x208.jpg)
|
14. Условные графические
обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи
печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы
конструкторской документации, приведены в табл. 13.
Таблица 13
Наименование
|
Обозначение
|
Отпечатанное обозначение
|
1.
Диод
|
![](4294848038.files/x210.jpg)
|
![](4294848038.files/x212.jpg)
|
2.
Транзистор типа PNР
|
![](4294848038.files/x214.jpg)
|
![](4294848038.files/x216.jpg)
|
3.
Транзистор типа NPN
|
![](4294848038.files/x218.jpg)
|
![](4294848038.files/x220.jpg)
|
4.
Транзистор типа PNIP с выводом от I-области
|
![](4294848038.files/x222.jpg)
|
![](4294848038.files/x224.jpg)
|
5.
Многоэмиттерный транзистор типа NPN
|
![](4294848038.files/x226.jpg)
![](4294848038.files/x228.jpg)
|
![](4294848038.files/x230.jpg)
![](4294848038.files/x232.jpg)
|
Примечание
к пп. 2 - 5. Звездочкой отмечают вывод базы,
знаком «больше» или «меньше» - вывод эмиттера.
15. Размеры (в модульной
сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.
(Измененная редакция, Изм. № 4).
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. (Исключено, Изм. № 4).
Размеры
(в модульной сетке) основных условных графических обозначений
Наименование
|
Обозначение
|
1. Диод
|
![](4294848038.files/x234.jpg)
|
2.. Тиристор диодный
|
3. Тиристор триодный
|
![](4294848038.files/x236.jpg)
|
4. Транзистор
|
![](4294848038.files/x238.jpg)
|
5. Транзистор полевой
|
6. Транзистор полевой с изолированным
затвором
|
![](4294848038.files/x240.jpg)
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. (Введено дополнительно, Изм. № 3).
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1
РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В
ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров
СССР от 16.08.73 № 2002
3 Соответствует СТ СЭВ
661-88
4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ
2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (апрель 2010
г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г.,
марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС
3-91)