Скачать ГОСТ 24613.9-83 Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров

Дата актуализации: 10.08.2017

ГОСТ 24613.9-83

Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров

Обозначение:	ГОСТ 24613.9-83
Обозначение англ:	GOST 24613.9-83
Статус:	взамен
Название рус.:	Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров
Название англ.:	Optoelectronic integrated microcircuits and opto conplers. Method for measuring switching times
Дата добавления в базу:	01.09.2013
Дата актуализации:	05.05.2017
Дата введения:	01.07.1984
Область применения:	Стандарт распространяется на оптоэлекронные интегральные микросхемы и оптопары и устанавливает метод измерения временных параметров: времени включения, времени выключения, времени спада, времени нарастания, времени задержки, времени сохранения, времени перехода при включении, времени перехода при выключении, времени задержки распространения сигнала при включении, времени задержки распространения сигнала при выключении, времени задержки включения, времени задержки выключения. Стандарт не распространяется на коммутаторы аналоговых сигналов и нагрузки и тиристорные оптопары.
Оглавление:	1 Принцип и условия измерения 2 Аппаратура 3 Подготовка и проведение измерений 4 Показатели точности измерения Приложение (справочное) Информационные данные о соответствии ГОСТ 24613.9-83 и СТ СЭВ 3790-82
Утверждён:	22.06.1983 Государственный комитет СССР по стандартам (USSR National Committee on Standards 2635)
Издан:	Издательство стандартов (1983 г. ) ИПК Издательство стандартов (2004 г. )
Расположен в:	Техническая документация Электроэнергия ЭЛЕКТРОНИКА Интегральные схемы. Микроэлектроника Экология ЭЛЕКТРОНИКА Интегральные схемы. Микроэлектроника
Заменяет собой:	ГОСТ 22440.8-77 «Переключатели оптоэлектронные логических сигналов. Метод измерения времени включения и выключения»
Нормативные ссылки:	ГОСТ 24613.0-81 «Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров»