| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 4.64-80 |
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей | 30.06.1981 | действующий |
| Название (англ.): Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции |
| ГОСТ 2169-69 |
Кремний технический. Технические условия | 30.06.1970 | действующий |
| Название (англ.): Silicon technical. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей Нормативные ссылки: ГОСТ 2169-43 |
| ГОСТ 19014.0-73 |
Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. I, II |
| ГОСТ 19014.1-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения алюминия | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of aluminium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. III |
| ГОСТ 19014.2-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения железа | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of iron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IV |
| ГОСТ 19014.3-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения кальция | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of calcium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. V |
| ГОСТ 19014.4-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения титана | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of titanium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VI |
| ГОСТ 19658-81 |
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74 |
| ГОСТ 22265-76 |
Материалы проводниковые. Термины и определения | 01.01.1978 | действующий |
| Название (англ.): Conductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 17033-71 в части терминологии проводниковых материалов |
| ГОСТ 22622-77 |
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров | 30.06.1978 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов |
| ГОСТ 26239.0-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца |
| ГОСТ 26239.1-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане |
| ГОСТ 26239.2-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии |
| ГОСТ 26239.3-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии |
| ГОСТ 26239.5-84 |
Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей | 01.01.1986 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 |
| ГОСТ 26239.6-84 |
Кремний четыреххлористый. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Silicon tetrachloride. Method of dichlorsilane, trichlorsilane, silicon tetrachloride, 1,3,3,3-tetrachlordisiloxane, 1,1,3,3-tetrachlordisilane, pentachlordisiloxane, hexachlordisiloxane, hexaclordisilane determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает хроматографический метод определения дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния, 1,3,3,3-тетрахлордисилоксана, 1,1,3,3-тетрахлордисилоксана, пентахлордисилоксана, гексахлордисилоксана, гексахлордисилана в четыреххлористом кремнии |
| ГОСТ 26239.7-84 |
Кремний полупроводниковый. Метод определения кислорода, углерода и азота | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor silicon. Method of oxygen, carbon and nitrogen determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения кислорода, углерода и азота в полупроводниковом кремнии с использованием активации ускоренными ионами и протонами |
| ГОСТ 26239.8-84 |
Кремний полупроводниковый и исходные продукты для его получения. Метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor silicon and raw materials for its production. Method of dichlorsilane, trichlorsilane and silicon tetrachloride determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод определения дихлорсилана, трихлорсилана и тетрахлорида кремния в четыреххлористом кремнии ректификационно очищенном и в смесях четыреххлористого кремния с трихлорсиланом |