| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 14343-69 |
Диоды полупроводниковые типов Д223, Д223А, Д223Б для устройств широкого применения | | отменён |
| Название (англ.): Semiconductors diodes types of Д 223, Д 223a, Д 223Б for widely used devices |
| ГОСТ 14949-69 |
Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения | | отменён |
| Название (англ.): Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices |
| ГОСТ 15606-70 |
Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения | | отменён |
| Название (англ.): Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices |
| ГОСТ 16947-71 |
Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения | | отменён |
| Название (англ.): Transistors type Гt701a for wide using equipment |
| ГОСТ 17230-71 |
Микросхемы интегральные. Ряд питающих напряжений | 30.06.1972 | действующий |
Название (англ.): Integrated microcircuits. Supply voltage range Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы, работающие при номинальных значениях питающих напряжений до 200 В, и устанавливает номинальные значения питающих напряжений, а также допускаемые отклонения питающих напряжений от номинальных значений.
Стандарт не распространяется на интегральные микросхемы, работающие в широком диапазоне питающих напряжений (охватывающих 2 или более номинальных напряжений) |
| ГОСТ 28624-90 |
Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Part 11. Sectional specification for discrete devices Область применения: Настоящий стандарт распространяетя на полупроводниковые дискретные приборы, за исключением оптоэлектронных приборов |
| ГОСТ 28625-90 |
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения. Раздел 2. Форма технических условий на стабилитроны и опорные диоды за исключением прецизионных опорных диодов с температурной компенсацией | 01.01.1991 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes. Section 2. Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodes Область применения: Настоящая форма технических условий (ТУ) является одной из форм ТУ на полупроводниковые приборы |
| ГОСТ 29209-91 |
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 2. Выпрямительные диоды | 30.06.1992 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2. Rectifire diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на выпрямительные диоды, в том числе подлежащие сертификации. В стандарте приводятся требования для приборов следующих классов: выпрямительные диоды, включая: лавинные выпрямительные диоды, выпрямительные диоды с управляемым лавинным пробоем, выпрямительные диоды с быстрым переключением |
| ГОСТ 29210-91 |
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3. Сигнальные диоды (включая переключательные) и диоды-регуляторы тока и напряжения | 30.06.1992 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices. Part 3. Signal (including switching) and regulator diodes Область применения: Настоящий стандарт применяется для разработки технических условий на сигнальные диоды, в том числе подлежащие сертификации |