| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 4.64-80 |
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей | 30.06.1981 | действующий |
| Название (англ.): Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции |
| ГОСТ 9816.0-84 |
Теллур технический. Общие требования к методам анализа | 30.06.1985 | действующий |
| Название (англ.): Technical tellurium. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа технического теллура Нормативные ссылки: ГОСТ 9816.0-74 |
| ГОСТ 9816.1-84 |
Теллур технический. Метод определения теллура | 30.06.1985 | действующий |
Название (англ.): Technical tellurium. Method for determination of tellurium Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический метод определения теллура при его массовой доле от 96% и выше в техническом теллуре.
Метод основан на окислении четырехвалентного теллура до шестивалентного раствором двухромовокислого калия Нормативные ссылки: ГОСТ 9816.1-74 |
| ГОСТ 9816.2-84 |
Теллур технический. Методы определения селена | 30.06.1985 | действующий |
| Название (англ.): Technical tellurium. Methods for determination of selenium Область применения: Настоящий стандарт устанавливает методы определения массовой доли селена в техническом теллуре: экстракционно-фотометрический в диапазоне концентраций от 0,005 до 0,2%; титриметрический в диапазоне концентраций от 0,2 до 2% Нормативные ссылки: ГОСТ 9816.2-74 |
| ГОСТ 9816.3-84 |
Теллур технический. Методы определения серы | 30.06.1985 | действующий |
| Название (англ.): Technical tellurium. Methods for determination of sulphur Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фототурбидиметрический метод определения серы (при массовой доле серы от 0,001 до 0,1%) и гравиметрический метод определения серы (при массовой доле серы от 0,1 до 0,6%) в техническом теллуре Нормативные ссылки: ГОСТ 9816.3-74 |
| ГОСТ 9816.4-84 |
Теллур технический. Метод спектрального анализа | 30.06.1985 | действующий |
Название (англ.): Technical tellurium. Method of spectral analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает спектральный метод определения примесей (меди, железа, свинца, натрия, селена, кремния, алюминия, серебра, золота, платины, родия, палладия, иридия, рутения, олова) в техническом теллуре.
Примеси определяют по методу “трех эталонов“с применением дуги переменного тока для испарения пробы и возбуждения спектра Нормативные ссылки: ГОСТ 9816.4-74 |
| ГОСТ 9816.5-84 |
Теллур технический. Метод атомно-абсорбционного анализа | 30.06.1985 | действующий |
| Название (англ.): Technical tellurium. Method of atomic-absorptive analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает атомно-абсорбционный метод определения массовой доли меди (от 0,003 до 0,5%), железа (от 0,003 до 0,2%), свинца (от 0,001 до 0,3%), селена (от 0,005 до 0,2%), серебра (от 0,0001 до 0,01%) в техническом теллуре |
| ГОСТ 16153-80 |
Германий монокристаллический. Технические условия | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline germanium. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на монокристаллический слиток германия, применяемый для производства полупроводниковых приборов и устанавливает требования к монокристаллическому германию, изготовляемому для нужд народного хозяйства Нормативные ссылки: ГОСТ 16153-70 |
| ГОСТ 19014.1-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения алюминия | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of aluminium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. III |
| ГОСТ 19014.2-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения железа | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of iron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IV |
| ГОСТ 19014.3-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения кальция | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of calcium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. V |
| ГОСТ 19014.4-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения титана | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Crystal silicon. Methods of titanium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VI |
| ГОСТ 19658-81 |
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74 |
| ГОСТ 19709.1-83 |
Теллур высокой чистоты. Метод определения серы | 01.01.1985 | действующий |
Название (англ.): Tellurium of high purity. Method for determination of sulphur Область применения: Настоящий стандарт устанавливает полярографический метод определения серы (при массовой доле сукы от 0,00002 до 0,03%) в теллуре высокой чистоты.
Метод основан на восстановлении соединений серы до сероводорода, отгонке, и поглощении его раствором щелочи в присутствии гидроксиламина и трилона Б и полярографировании раствора, содержащего сульфид-ионы Нормативные ссылки: ГОСТ 19709.1-74 |
| ГОСТ 19709.2-83 |
Теллур высокой чистоты. Методы определения селена | 01.01.1985 | действующий |
Название (англ.): Tellurium of high purity. Methods for determination of selenium Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-флуориметрический (при массовой доле селена от 0,000005 до 0,0005 %) и спектрофотометрический (при массовой доле селена от 0,0001 до 0,02 %) методы определения селена в теллуре высокой чистоты.
Спектрофотометрический метод основан на образовании соединения селена с о-фенилендиамином при рН 1-2, поглощающего свет в ультрафиолетовой области спектра при длине волны 335 нм. Образующееся соединение экстрагируется бензолом. Теллур связывается лимонной кислотой Нормативные ссылки: ГОСТ 19709.2-74 |
| ГОСТ 22622-77 |
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров | 30.06.1978 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов |
| ГОСТ 24392-80 |
Кремний и германий монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline silicon and germanium. Measurement of the electrical resistivity by the four-probe method Область применения: Настоящий стандарт устанавливает четырехзондовый метод измерения удельного электрического сопротивления на плоской поверхности слитков монокристаллических кремния и германия электронного или дырочного типа электропроводности в диапазоне значений удельного электрического сопротивления от 1х10 в ст. минус 4 до 1х10 в ст. 4 Ом.см |
| ГОСТ 24977.1-81 |
Теллур высокой чистоты. Химико-спектральный метод определения примесей | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Tellurium high purity. Method of chemical and spectral for the ditermination of impurities Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-спектральный метод определения индия, галлия, хрома, свинца, марганца, серебра и меди в теллуре высокой чистоты марки Т-В4 Нормативные ссылки: ГОСТ 17434-72 |
| ГОСТ 24977.2-81 |
Теллур высокой чистоты. Спектральный метод определения примесей | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Tellurium high purity. Spectral method for the determination of impurities Область применения: Настоящий стандарт устанавливает спектральный метод определения серебра, меди, свинца, алюминия, железа, олова, висмута, магния, золота, кобальта, никеля, марганца, галлия, индия, хрома в теллуре высокой чистоты марок Т-В4, Т-В3 и Т-А1 Нормативные ссылки: ГОСТ 21326.1-75 |
| ГОСТ 24977.3-81 |
Теллур высокой чистоты. Спектральный метод определения мышьяка, cурьмы, ртути и кадмия | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Tellurium high purity. Spectral method for the determination of arsenic, autimonic, mercury and cadmium Область применения: Настоящий стандарт устанавливает спектральный метод определения мышьяка, сурьмы, ртути и кадмия в теллуре высокой чистоты |
| ГОСТ 25948-83 |
Арсенид галлия и фосфид галлия монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла | 01.01.1985 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystal gallium arsenide and gallium phosphide. Measurement of specific electric resistance and hall-coefficient Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод измерения удельного электрического сопротивления, коэффициента Холла и определения типа электропроводности, коецентрации и холловской подвижности основных носителей заряда для полупроводниковых материалов |