| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 19658-81 |
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия | 01.01.1983 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74 |
| ГОСТ 24392-80 |
Кремний и германий монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystalline silicon and germanium. Measurement of the electrical resistivity by the four-probe method Область применения: Настоящий стандарт устанавливает четырехзондовый метод измерения удельного электрического сопротивления на плоской поверхности слитков монокристаллических кремния и германия электронного или дырочного типа электропроводности в диапазоне значений удельного электрического сопротивления от 1х10 в ст. минус 4 до 1х10 в ст. 4 Ом.см |
| ГОСТ 25948-83 |
Арсенид галлия и фосфид галлия монокристаллические. Измерение удельного электрического сопротивления и коэффициента Холла | 01.01.1985 | действующий |
| Название (англ.): Monocrystal gallium arsenide and gallium phosphide. Measurement of specific electric resistance and hall-coefficient Область применения: Настоящий стандарт устанавливает метод измерения удельного электрического сопротивления, коэффициента Холла и определения типа электропроводности, коецентрации и холловской подвижности основных носителей заряда для полупроводниковых материалов |