| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 4.137-85 |
Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действующий |
| Название (англ.): Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию |
| ГОСТ 4.139-85 |
Система показателей качества продукции. Преобразователи электроэнергии плупроводниковые. Номенклатура показателей | 01.01.1987 | действующий |
Название (англ.): System of product-quality indices. Semiconductor power converters. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества полупроводниковых преобразователей электроэнергии, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, ТЗ на ОКР, разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию, технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ).
Стандарт распространяется на следующие группы однородной продукции:
преобразователи электроэнергии полупроводниковые силовые мощностью до 5 кВ.А включительно;
выпрямители полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи частоты полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А ;
нверторы полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи переменного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А;
преобразователи постоянного напряжения полупроводниковые мощностью свыше 5 кВ.А; агрегаты бесперебойного питания |
| ГОСТ 18986.0-74 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров |
| ГОСТ 18986.6-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления |
| ГОСТ 18986.9-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring pulse direct voltage and forword recovery time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения импульсного прямого напряжения и времени прямого восстановления Нормативные ссылки: ГОСТ 10965-64 |
| ГОСТ 18986.16-72 |
Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока | 01.01.1974 | действующий |
| Название (англ.): Rectifier diodes. Methods of measuring average forward voltage and average reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые выпрямительные диоды малой и средней мощности, полупроводниковые выпрямительные столбы и устанавливает метод измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока |
| ГОСТ 19095-73 |
Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Field effect transistors. Terms, definitions and parameter symbols Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров полевых транзисторов |
| ГОСТ 20398.1-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Shot-circuit forward transfer admittance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.2-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Noise figure measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума |
| ГОСТ 20398.3-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.4-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Active output conductance component measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.5-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения) |
| ГОСТ 20398.6-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора |
| ГОСТ 20398.7-74 |
Транзисторы полевые. Методы измерения порогового напряжения и напряжения отсечки | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения порогового напряжения и напряженя отсечки |
| ГОСТ 20398.8-74 |
Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Field-effect transistors. Drain current for V(Gs)=0 measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения начального тока стока |
| ГОСТ 20859.1-89 |
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования | 01.01.1990 | действующий |
Название (англ.): Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79ГОСТ 30617-98 в части модулей |
| ГОСТ 23900-87 |
Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры | 30.06.1988 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor devices. Overall and mounting dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы - диоды и тиристоры на токи 10 А и более Нормативные ссылки: ГОСТ 23900-79 |
| ГОСТ 24461-80 |
Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Power semiconductor devices. Test and measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы, кроме арсенид-галлиевых приборов, диоды, тиристоры на максимально допустимые средние или действующие токи 10А и более и устанавливает методы измерения параметров и проверки (испытаний) предельно допустимых значений параметров, в том числе условия, схемы, режимы, требования к элементам схем и контрольно-измерительному оборудованию, последовательность операций при измерениях и проверках |
| ГОСТ 25293-82 |
Охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Общие технические условия | 01.01.1983 | действующий |
Название (англ.): Coolers of air-cooling system of power semiconducting devices. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на охладители воздушных систем охлаждения силовых полупроводниковых приборов.
Настоящий стандарт не распространяется на охладители, работающие в средах: с токопроводящей пылью; содержащих едкие газы, разрушающие металлы и изоляцию; взрывоопасных |
| ГОСТ 27264-87 |
Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений | 01.01.1988 | действующий |
| Название (англ.): Power bipolar transistors. Measurement methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые биполярные транзисторы, в том числе составные, на токи 10 А и более и устанавливает методы измерений электрических, тепловых параметров и проверок предельно допустимых значений параметров |
| ГОСТ 30617-98 |
Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия | 30.06.2002 | действующий |
Название (англ.): Power semiconductor modules. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые модули общего назначения, состоящие из полупроводниковых приборов и (или) структур: диодов, биполярных (в том числе составных) транзисторов, полевых транзисторов и тиристоров всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 5 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на модули, работающие:
- в средах с токопроводящей пылью;
- в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
- во взрывоопасной среде;
- в условиях воздействия различных излучений, повреждающих модули Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-89 в части модулей |