| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 12.2.007.5-75 |
Система стандартов безопасности труда. Конденсаторы силовые. Установки конденсаторные. Требования безопасности | 01.01.1978 | действующий |
Название (англ.): Occupation safety standards system. Safety requirements. Power capacitors. Capacitor installations Область применения: Настоящий стандарт распространяется на:
конденсаторные установки;
силовые конденсаторы, предназначенные для обеспечения высокочастотной связи по линиям электропередач, для делителей напряжения и отбора мощности, для продольной компенсации, для повышения коэффициента мощности, импульсные, фильтровые;
силовые конденсаторы и конденсаторные батареи для электротермических установок. Стандарт не распространяется на конденсаторы, применяемые в электронной аппаратуре |
| ГОСТ 11630-84 |
Приборы полупроводниковые. Общие технические условия | 30.06.1985 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor devices. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70 |
| ГОСТ 12661-67 |
Конденсаторы и резисторы электрические. Длины монтажные и диаметры проволочных выводов | 30.06.1967 | действующий |
| Название (англ.): Capacitors and resistors. Mounting lengths and diameters of wire leads Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электрические конденсаторы с любым диэлектриком и на резисторы (постоянные и переменные, проволочные и непроволочные), имеющие проволочные выводы, и устанавливает ряд монтажных длин и диаметров проволочных выводов |
| ГОСТ 14254-96 |
Степени защиты, обеспечиваемые оболочками (код IP) | 01.01.1997 | действующий |
| Название (англ.): Degrees of protection provided by enclosures (IP code) Область применения: Настоящий стандарт распространяется на группировку изделий, охватываемых Международной Электротехнической Комиссией (изделия для обеспечения информационных технологий, электротехнические и приборостроения), напряжением не более 72,5 кВ Нормативные ссылки: ГОСТ 14254-80 |
| ГОСТ 16962-71 |
Изделия электронной техники и электротехники. Механические и климатические воздействия. Требования и методы испытаний | 30.06.1971 | действующий |
Название (англ.): Electronic and electrical equipment. Mechanical and climatic influence. Requirements and test methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники и электротехники, приведенные в приложении 2, технические задания на разработку которых утверждены до 1 января 1982 г., и устанавливает требования к изделиям и методы испытаний в части воздействия механических и климатических факторов.
Стандарт не устанавливает требований и методов испытаний в части климатических факторов, действующих в открытом космическом пространстве Нормативные ссылки: ГОСТ 15543.1-89 в части требований по климатическим воздействиям к электротехническим изделиям народнохозяйственного назначения; ГОСТ 16962.1-89 в части методов климатических испытаний электротехнических изделий народнохозяйственного назначения; ГОСТ 16962.2-90 в части методов механических испытаний электротехнических изделий народнохозяйственного назначения; ГОСТ 17516.1-90 в части требований по механическим воздействиям к электротехническим изделиям народнохозяйственного назначения |
| ГОСТ 17465-80 |
Диоды полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22 |
| ГОСТ 18986.14-85 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | 30.06.1986 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75 ГОСТ 19656.8-74 |
| ГОСТ 18986.24-83 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения | 30.06.1984 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения |
| ГОСТ 19656.10-88 |
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 30.06.1989 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75 |
| ГОСТ 19834.0-75 |
Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей |
| ГОСТ 19834.2-74 |
Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный |
| ГОСТ 19834.3-76 |
Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 30.06.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения |
| ГОСТ 19834.4-79 |
Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 30.06.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения |
| ГОСТ 19834.5-80 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении |
| ГОСТ 21493-76 |
Изделия электронной техники. Требования по сохраняемости и методы испытаний | 01.01.1977 | действующий |
| Название (англ.): Electronic components. Storageability requirements and test methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники производственно-технического назначения и народного потребления и устанавливает требования по сохраняемости изделий и методы испытаний на сохраняемость |
| ГОСТ 23088-80 |
Изделия электронной техники. Требования к упаковке, транспортированию и методы испытаний | 30.06.1981 | действующий |
| Название (англ.): Electronic components. Requirements for package, transportation and test methods Область применения: Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники, в том числе поставляемые для экспорта, и устанавливает требования к упаковке и транспортированию изделий, а также методы испытаний упаковки с изделиями Нормативные ссылки: ГОСТ 23088-78 |
| ГОСТ 23448-79 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов |
| ГОСТ 24352-80 |
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24354-80 |
Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor character displays. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана |
| ГОСТ 24459-80 |
Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Intergated microcircuits for storages and its elements. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядной связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов Нормативные ссылки: ГОСТ 19420-74 в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств |
| ГОСТ 24460-80 |
Микросхемы интегральные цифровых устройств. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Intergated microcircuits for digital devices. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы цифровых устройств: регистры, счетчики (делители частоты), дешифраторы, шифраторы, сумматоры, полусумматоры, арифметическо-логические устройства, а также усилители индикации и схемы сопряжения с магистралью и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных электрических параметров для различных схемно-технологических вариантов изготовления при нормальных климатических условиях Нормативные ссылки: ГОСТ 17447-72 в части пп. 5 и 6 |
| ГОСТ 24612-81 |
Машины листогибочные с поворотной гибочной балкой с программным управлением. Основные параметры и размеры | | срок действия истёк |
| Название (англ.): Swing beam sheet bending numerically controlled machines. Parametrs and dimensions |
| ГОСТ 24613.0-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Общие положения при измерении электрических параметров | 01.01.1982 | действующий |
Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and opto-couples. General requirements at measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары.
Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения электрических параметров оптоэлектронных интегральных микросхем и оптопар и устанавливает общие положения для стандартов этого комплекса |
| ГОСТ 24613.1-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения проходной емкости | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Method for measuring of input-to-output capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары и устанавливает метод измерения проходной емкости |
| ГОСТ 24613.2-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения тока утечки | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and opto-couples. Method for measuring leatage current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы оптопары и устанавливает метод измерения тока утечки |
| ГОСТ 24613.3-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения входного напряжения | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and opto-couples. Method for measuring input voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары и устанавливает метод измерения выходного напряжения |
| ГОСТ 24613.4-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения времени включения и выключения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Electronic integrated microcircuits. Method of switsching on and switching off time measurement of commutators of analog signals and load Область применения: Настоящий стандарт распространяется на коммутаторы аналоговых сигналов и нагрузки оптоэлектронных интегральных микросхем и устанавливает метод измерения времени включения и выключения |
| ГОСТ 24613.5-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные. Метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения коммутаторов аналоговых сигналов и нагрузки | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits. Method of zero remapend voltage measurement of commutators of analog signals and load Область применения: Настоящий стандарт распространяется на коммутаторы аналоговых сигналов и нагрузки оптоэлектронных интегральных микросхем и устанавливает метод измерения нулевого выходного остаточного напряжения |
| ГОСТ 24613.6-81 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения напряжения изоляции | 30.06.1982 | действующий |
| Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Method for measuring of isolation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары и устанавливает метод измерения напряжения изоляции (постоянного или импульсного) |
| ГОСТ 24613.7-83 |
Оптопары резисторные. Метод измерения светового и темнового выходного сопротивления | 30.06.1984 | действующий |
| Название (англ.): Resistor opto-couples. Method for measuring light and dark output resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на резисторные оптопары и устанавливает метод измерения светового и темнового выходного сопротивления |
| ГОСТ 24613.8-83 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Методы измерения критической скорости изменения напряжения изоляции | 30.06.1984 | действующий |
Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and optocouples. Methods for measuring of critical change rate of dielectric voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлектронные интегральные микросхемы и оптопары, в том числе переключатели логических сигналов, и устанавливает два метода измерения критической скорости изменения напряжения изоляции: прямой и косвенный.
Косвенный метод применяют при наличии вывода от входа встроенной микросхемы, входящей в состав проверяемого прибора Нормативные ссылки: ГОСТ 22440.4-77 |
| ГОСТ 24613.9-83 |
Микросхемы интегральные оптоэлектронные и оптопары. Метод измерения временных параметров | 30.06.1984 | действующий |
Название (англ.): Optoelectronic integrated microcircuits and optocouplers. Method for measuring switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на оптоэлекронные интегральные микросхемы и оптопары и устанавливает метод измерения временных параметров: времени включения, времени выключения, времени спада, времени нарастания, времени задержки, времени сохранения, времени перехода при включении, времени перехода при выключении, времени задержки распространения сигнала при включении, времени задержки распространения сигнала при выключении, времени задержки включения, времени задержки выключения.
Стандарт не распространяется на коммутаторы аналоговых сигналов и нагрузки и тиристорные оптопары Нормативные ссылки: ГОСТ 22440.8-77 |