| [1] (15 объектов найдено) |
| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 17465-80 |
Диоды полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки) Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22 |
| ГОСТ 18986.14-85 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений | 30.06.1986 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75 ГОСТ 19656.8-74 |
| ГОСТ 18986.24-83 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения | 30.06.1984 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения |
| ГОСТ 19656.10-88 |
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 30.06.1989 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75 |
| ГОСТ 19834.0-75 |
Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров | 30.06.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей |
| ГОСТ 19834.2-74 |
Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости | 01.01.1976 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный |
| ГОСТ 19834.3-76 |
Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения | 30.06.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения |
| ГОСТ 19834.4-79 |
Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения | 30.06.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения |
| ГОСТ 19834.5-80 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении |
| ГОСТ 23448-79 |
Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов |
| ГОСТ 24352-80 |
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor photoemitters. Main parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| ГОСТ 24354-80 |
Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры | 01.01.1982 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor character displays. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана |
| ГОСТ 27778-88 |
Конденсаторы постоянной емкости керамические. Общие технические условия | 30.06.1989 | действующий |
Название (англ.): Ceramic fixed capacitors. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на керамические конденсаторы постоянной емкости на номинальное напряжение до 1000 В, а также на незащищенные монолитные (многослойные) безвыводные конденсаторы на номинальное напряжение до 200 В, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на помехоподавляющие конденсаторы |
| ГОСТ 28896-91 |
Конденсаторы постоянной емкости для электронной аппаратуры. Часть 1. Общие технические условия | 30.06.1992 | действующий |
| Название (англ.): Fixed capacitors for use in electronic equipment. Part 1. General specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на конденсаторы постоянной емкости, предназначенные для использования в электронной аппаратуре |
| ГОСТ 29283-92 |
Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы | 01.01.1993 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices Область применения: Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары.
Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84 |