| [1] (19 объектов найдено) |
| Номер | Название |
Дата введения | Статус |
| ГОСТ 18986.0-74 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 01.01.1976 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ ( в части низкочастотных и статических параметров) и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров |
| ГОСТ 18986.5-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения времени выключения | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring transition time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные диоды и умножительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения времени выключения |
| ГОСТ 18986.6-73 |
Диоды полупроводниковые. Метод измерения заряда восстановления | 01.01.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor diodes. Method for measuring recovery charge Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые импульсные и выпрямительные диоды, а также на переключательные диоды диапазона СВЧ, у которых накопленный заряд может быть принят равным заряду восстановления и устанавливает метод измерения заряда восстановления |
| ГОСТ 18986.7-73 |
Диоды полупроводниковые. Методы измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда | 01.01.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor diodes. Methods for measuring life time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на импульсные, смесительные и умножительные диоды СВЧ.
Стандарт устанавливает два метода измерения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда: для импульсных и смесительных диодов СВЧ; для импульсных диодов с накоплением заряда и умножительных диодов СВЧ |
| ГОСТ 19656.0-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения | 30.06.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of electrical parameters. General conditions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает общие положения при измерениях электрических параметров на сверхвысоких частотах |
| ГОСТ 19656.1-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению | 30.06.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement method of voltage standing-wave ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц |
| ГОСТ 19656.2-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения выпрямленного тока | 30.06.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement method of rectified current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает метод измерения выпрямленного тока в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц |
| ГОСТ 19656.3-74 |
Диоды полупрводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте | 30.06.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of output impedance at an intermediate frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц следующие методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте:
метод сравнения;
метод импедансного моста |
| ГОСТ 19656.5-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Методы измерения шумового отношения | 30.06.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer and detector diodes. Measurement methods of output noise ratio Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ смесительные и детекторные и устанавливает 2 метода измерения шумового отношения при возбуждении диода:
СВЧ мощностью (в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц);
постоянным током |
| ГОСТ 19656.6-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения нормированного коэффициента шума | 30.06.1975 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor UHF mixer diodes. Measurement methods of standard overall noise figure Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые смесительные диоды СВЧ и устанавливает в диапазоне частот от 0,3 до 78,3 ГГц два метода измерения нормированного коэффициента шума Fнорм:
метод шумового генератора;
метод определения Fнорм по измененным значениям потерь преобразования и шумового отношения |
| ГОСТ 19656.7-74 |
Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току | 30.06.1975 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц |
| ГОСТ 19656.9-79 |
Диоды полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные. Методы измерения постоянной времени и предельной частоты | 01.01.1981 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave varactors and multiplier diodes. Methods of measuring time constant and limiting frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ параметрические и умножительные диоды и устанавливает следующие методы измерения постоянной времени и предельной частоты:
метод четырехполюсника;
метод последовательного резонанса диода;
резонаторный метод.
Методы измерения постоянной времени и предельной частоты диода учитывают потери в измерительной диодной камере Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.9-74 |
| ГОСТ 19656.10-88 |
Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь | 30.06.1989 | действующий |
Название (англ.): Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
в) резонаторный метод Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75 |
| ГОСТ 19656.12-76 |
Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления | 30.06.1977 | действующий |
| Название (англ.): Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления |
| ГОСТ 19656.13-76 |
Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности | 01.01.1979 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный |
| ГОСТ 19656.14-79 |
Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты | 01.01.1981 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты |
| ГОСТ 19656.15-84 |
Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления | 01.01.1986 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений |
| ГОСТ 19656.16-86 |
Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей | 30.06.1987 | действующий |
| Название (англ.): Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме |
| ГОСТ 20271.1-91 |
Изделия электронные СВЧ. Методы измерения электрических параметров | 30.06.1992 | действующий |
| Название (англ.): Microwave electronic devices. Methods of measuring electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на электровакуумные приборы СВЧ, модули и блоки СВЧ, защитные устройства СВЧ, криоэлектронные изделия СВЧ и изделия СВЧ с термоэлектронным охлаждением, работающие в диапазоне частот от 0,03 до 178,6 ГГц, и устанавливает методы измерения электрических параметров, общих для этих изделий Нормативные ссылки: ГОСТ 20271.0-81 ГОСТ 20271.1-75 ГОСТ 20271.2-82 ГОСТ 20271.4-81 ГОСТ 20271.5-83 ГОСТ 20271.6-83 ГОСТ 20271.7-84 ГОСТ 20271.8-84 ГОСТ 20271.9-86 |