Обозначение: | ГОСТ 20859.1-89 |
Обозначение англ: | GOST 20859.1-89 |
Статус: | Заменен в части |
Название рус.: | Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
Название англ.: | Power semiconductor devices. General technical requirements |
Дата добавления в базу: | 01.09.2013 |
Дата актуализации: | 05.05.2017 |
Дата введения: | 01.07.2002 |
Область применения: | Стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений |
Оглавление: | 1 Технические требования 2 Комплектность 3 Правила приемки 4 Методы испытаний 5 Маркировка 6 Упаковка 7 Транспортирование 8 Хранение 9 Гарантии изготовителя 10 Условия эксплуатации и применения Приложение 1 (справочное) Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их пояснения Приложение 2 (обязательное) Обозначение групп приборов в зависимости от значения их параметров |
Разработан: | Министерство электротехнической промышленности СССР |
Утверждён: | 24.04.1989 Государственный комитет СССР по стандартам (USSR National Committee on Standards 1056) |
Издан: | Издательство стандартов (1989 г. ) |
Расположен в: | |
Заменяет собой: | |
Чем заменён: | |
Нормативные ссылки: |
|